Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мармалюк Александр Анатольевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 90
Научных статей: 87

Статистика просмотров:
Эта страница:1449
Страницы публикаций:23855
Полные тексты:7804
Списки литературы:2144
доктор технических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person47948
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. П. С. Гаврина, А. А. Подоскин, И. В. Шушканов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Температурная зависимость выходной оптической мощности полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs”, Квантовая электроника, 54:4 (2024),  218–223  mathnet
2. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями”, Квантовая электроника, 54:2 (2024),  100–103  mathnet
2023
3. Н. Н. Брагин, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, “Особенности мощных однозарядных фотодиодов на основе гетероструктур InGaAs/InP”, Квантовая электроника, 53:11 (2023),  883–886  mathnet [N. N. Bragin, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, “Features of high-power uni-traveling-carrier InGaAs/InP photodiodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S180–S184]
4. Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023),  667–671  mathnet [N. V. Gultikov, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, L. I. Shestak, V. A. Panarin, M. Yu. Starynin, A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, “High-power laser diode arrays based on (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs and GaAsP/GaInP/GaAs quantum-well heterostructures”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391–S1397] 1
5. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм”, Квантовая электроника, 53:8 (2023),  641–644  mathnet [K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Metal–dielectric mirror coatings for 4–5-μm quantum-cascade lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1356–S1360] 1
6. В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As при оптической накачке с различной длиной волны излучения”, Квантовая электроника, 53:8 (2023),  636–640  mathnet [V. I. Kozlovsky, S. M. Zhenishbekov, Ya. K. Skasyrsky, M. P. Frolov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Study of a semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a heterostructure with Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As quantum wells under optical pumping with different radiation wavelengths”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1348–S1355] 1
7. Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Новые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 53:7 (2023),  561–564  mathnet [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “New high-reliability optical transmission modules based on powerful superluminescent diodes in the spectral range 1.5 – 1.6 μm”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1246–S1251]
8. К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм”, Квантовая электроника, 53:5 (2023),  370–373  mathnet 1
9. С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023),  11–16  mathnet [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] 1
2022
10. А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022),  1079–1087  mathnet [A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, “Semiconductor lasers with improved radiation characteristics”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417]
11. Д. Р. Сабитов, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Малогабаритные суперлюминесцентные диоды AlGaInAs / InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами для волоконно-оптических гироскопов”, Квантовая электроника, 52:6 (2022),  577–579  mathnet [D. R. Sabitov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Compact superluminescent AlGaInAs/InP strain-compensated quantum-well diodes for fibre-optic gyroscopes”, Quantum Electron., 52:6 (2022), 577–579  scopus] 1
12. М. Р. Бутаев, Я. К. Скасырский, В. И. Козловский, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Мармалюк, “Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре Al<sub>x</sub>Ga<sub>1– x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1– y</sub>As, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 52:4 (2022),  362–366  mathnet [M. R. Butaev, Ya. K. Skasyrsky, V. I. Kozlovsky, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Marmalyuk, “Semiconductor disk laser with a wavelength of 780 nm based on a MOCVD-grown Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As/Al<sub>y</sub>Ga<sub>1–y</sub>As heterostructure with optical and electron beam pumping”, Quantum Electron., 52:4 (2022), 362–366  scopus] 1
13. Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  179–181  mathnet [N. A. Volkov, K. Yu. Telegin, N. V. Gultikov, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, L. I. Shestak, A. A. Kozyrev, V. A. Panarin, “Improvement of the current–voltage performance of broadened asymmetric waveguide InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers (λ = 940–980 nm)”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181  isi  scopus] 3
14. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Мощные импульсные полупроводниковые лазеры (910 нм) мезаполосковой конструкции со сверхширокой излучающей апертурой на основе туннельно-связанных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 52:2 (2022),  174–178  mathnet [S. O. Slipchenko, D. N. Romanovich, P. S. Gavrina, D. A. Veselov, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “High-power mesa-stripe semiconductor lasers (910 nm) with an ultra-wide emitting aperture based on tunnel-coupled InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178  isi  scopus] 3
2021
15. А. А. Подоскин, П. С. Гаврина, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, В. А. Капитонов, И. В. Мирошников, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Исследование пространственной динамики включения лазера-тиристора (905 нм) на основе многопереходной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  466–472  mathnet  elib
16. А. В. Бабичев, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, К. А. Подгаецкий, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, Н. А. Пихтин, Г. С. Соколовский, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры квантово-каскадных лазеров с неселективным заращиванием методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 47:24 (2021),  46–50  mathnet  elib 1
17. Т. А. Багаев, Н. В. Гультиков, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, В. В. Кричевский, А. М. Морозюк, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, А. Е. Казакова, Д. Н. Романович, В. А. Крючков, “Мощные полупроводниковые гибридные импульсные лазерные излучатели в диапазоне длин волн 900–920 нм”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  912–914  mathnet  elib [T. A. Bagaev, N. V. Gul'tikov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, V. V. Krichevskii, A. M. Morozyuk, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, A. E. Kazakova, D. N. Romanovich, V. A. Kryuchkov, “High-power pulsed hybrid semiconductor lasers emitting in the wavelength range 900–920 nm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 912–914  isi  scopus] 3
18. В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  909–911  mathnet  elib [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, N. A. Volkov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “High-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9–2.0 μm”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911  isi  scopus] 1
19. Н. А. Волков, Т. А. Багаев, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, Н. А. Рудова, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры InGaAs/AlGaAs/GaAs ($\lambda$ = 900–920 нм) с расширенным асимметричным волноводом и улучшенной вольт-амперной характеристикой”, Квантовая электроника, 51:10 (2021),  905–908  mathnet  elib [N. A. Volkov, T. A. Bagaev, D. R. Sabitov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. V. Bakhvalov, D. A. Veselov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Rudova, V. A. Strelets, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “InGaAs/AlGaAs/GaAs semiconductor lasers ($\lambda$ = 900–920 nm) with broadened asymmetric waveguides and improved current–voltage characteristics”, Quantum Electron., 51:10 (2021), 905–908  isi  scopus] 3
20. Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021),  283–286  mathnet  elib [N. A. Volkov, V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Comparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (λ = 1450–1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides”, Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286  isi  scopus] 5
21. Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  133–136  mathnet  elib [N. A. Volkov, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers (λ = 1450 – 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136  isi  scopus] 5
22. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Подоскин, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Экспериментальная методика исследования оптического поглощения в волноводных слоях полупроводниковых лазерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 51:2 (2021),  124–128  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Podoskin, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Experimental technique for studying optical absorption in waveguide layers of semiconductor laser heterostructures”, Quantum Electron., 51:2 (2021), 124–128  isi  scopus] 3
2020
23. А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, С. С. Мирзаи, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  420–425  mathnet  elib; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 3
24. А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  292–295  mathnet  elib; A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 1
25. В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, Н. А. Волков, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 50:12 (2020),  1123–1125  mathnet  elib [V. N. Svetogorov, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, N. A. Volkov, A. A. Marmalyuk, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide and an increased electron barrier”, Quantum Electron., 50:12 (2020), 1123–1125  isi  scopus] 5
26. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020),  1001–1003  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003  isi  scopus] 3
27. Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020),  830–833  mathnet  elib [D. R. Sabitov, Yu. L. Ryaboshtan, V. N. Svetogorov, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, M. G. Vasil'ev, A. M. Vasil'ev, Yu. O. Kostin, A. A. Shelyakin, “Superluminescent diodes in the spectral range of 1.5–1.6 μm based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells”, Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833  isi  scopus] 3
28. О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, В. А. Симаков, В. Н. Светогоров, Р. В. Чернов, “Полупроводниковые лазеры с асимметричным периодическим оптически связанным волноводом на длину волны излучения 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:6 (2020),  600–602  mathnet  elib [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, V. A. Simakov, V. N. Svetogorov, R. V. Chernov, “1.5 – 1.6 μm semiconductor lasers with an asymmetric periodic optically coupled waveguide”, Quantum Electron., 50:6 (2020), 600–602  isi  scopus] 1
29. К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020),  489–492  mathnet  elib [K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492  isi  scopus] 4
30. О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020),  143–146  mathnet  elib [O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146  isi  scopus] 7
2019
31. П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019),  7–11  mathnet  elib; P. S. Gavrina, O. S. Soboleva, A. A. Podoskin, D. N. Romanovich, V. S. Golovin, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “Experimental studies of the on-state propagation dynamics of low-voltage laser-thyristors based on AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378 3
32. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1011–1013  mathnet  elib [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  isi  scopus] 6
33. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды на основе двухслойных асимметричных наногетероструктур”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  931–935  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes based on asymmetric double-quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 931–935  isi  scopus] 1
34. М. А. Ладугин, Н. В. Гультиков, А. А. Мармалюк, В. П. Коняев, А. В. Соловьева, “Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 49:10 (2019),  905–908  mathnet  elib [M. A. Ladugin, N. V. Gul'tikov, A. A. Marmalyuk, V. P. Konyaev, A. V. Solov'eva, “Continuous-wave laser diodes based on epitaxially integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 49:10 (2019), 905–908  isi  scopus] 4
35. А. С. Аникеев, Т. А. Багаев, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. М. Панкратов, В. Р. Шидловский, С. Д. Якубович, “Cуперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 770–790 нм на основе полупроводниковых наноструктур с узкими квантовыми ямами”, Квантовая электроника, 49:9 (2019),  810–813  mathnet  elib [A. S. Anikeev, T. A. Bagaev, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. M. Pankratov, V. R. Shidlovskiǐ, S. D. Yakubovich, “Superluminescent diodes of the 770–790-nm range based on semiconductor nanostructures with narrow quantum wells”, Quantum Electron., 49:9 (2019), 810–813  isi  scopus] 2
36. О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных многомодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 49:7 (2019),  649–652  mathnet  elib [O. O. Bagaeva, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetric-waveguide multimode lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652  isi  scopus] 6
37. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, “Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  529–534  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, “Effect of (Al)GaAs/AlGaAs quantum confinement region parameters on the threshold current density of laser diodes”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 529–534  isi  scopus] 3
38. А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  519–521  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521  isi  scopus] 1
39. Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, Н. В. Воронкова, С. О. Слипченко, В. А. Стрелец, М. В. Богданович, П. В. Шпак, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, “Импульсный лазерный модуль спектрального диапазона 1500–1600 нм на основе мощного полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 49:5 (2019),  488–492  mathnet  elib [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, N. V. Voronkova, S. O. Slipchenko, V. A. Strelets, M. V. Bogdanovich, P. V. Shpak, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, N. A. Pikhtin, “Pulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500–1600 nm”, Quantum Electron., 49:5 (2019), 488–492  isi  scopus] 3
2018
40. К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389  mathnet  elib; K. E. Kudryavtsev, A. A. Dubinov, V. Ya. Aleshkin, D. V. Yurasov, P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, A. A. Marmalyuk, A. V. Novikov, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in the 1.3–1.5 $\mu$m spectral range from AlGaInAs quantum wells in hybrid light-emitting III–V heterostructures on silicon substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
41. A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  463  mathnet  elib; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 8
42. М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018),  993–995  mathnet  elib [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995  isi  scopus] 5
43. П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Экспериментальные исследования мощных одномодовых лазеров с асимметричным волноводом с длиной волны излучения 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:6 (2018),  495–501  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power asymmetricwaveguide single-mode lasers”, Quantum Electron., 48:6 (2018), 495–501  isi  scopus] 11
44. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  197–200  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Effect of the waveguide layer thickness on output characteristics of semiconductor lasers with emission wavelength from 1500 to 1600 nm”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200  isi  scopus] 13
2017
45. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62”, Квантовая электроника, 47:8 (2017),  693–695  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695  isi  scopus] 6
46. М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70”, Квантовая электроника, 47:4 (2017),  291–293  mathnet  elib [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293  isi  scopus] 11
47. А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017),  272–274  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, S. O. Slipchenko, A. V. Lyutetskiy, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, “Semiconductor AlGaInAs/InP lasers with ultra-narrow waveguides”, Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274  isi  scopus] 25
2016
48. М. А. Сурнина, Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк, Т. А. Багаев, А. Л. Сизов, “Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  66–71  mathnet  elib; M. A. Surnina, R. Kh. Akchurin, A. A. Marmalyuk, T. A. Bagaev, A. L. Sizov, “Growing InAs/GaAs quantum dots by droplet epitaxy under MOVPE conditions”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 747–749 1
49. И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016),  447–450  mathnet  elib [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450  isi  scopus] 4
2015
50. А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов, “Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015),  235–239  mathnet  elib; A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211  isi  scopus 17
51. Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. Ю. Чаморовский, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Полупроводниковые лазеры с полосой непрерывной перестройки более 100 нм в “ближайшем” ИК диапазоне спектра”, Квантовая электроника, 45:8 (2015),  697–700  mathnet  elib [Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. Yu. Chamorovsky, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Semiconductor lasers with a continuous tuning range above 100 nm in the nearest IR spectral region”, Quantum Electron., 45:8 (2015), 697–700  isi  scopus] 4
52. Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015),  601–603  mathnet  elib [N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603  isi  scopus] 6
2013
53. Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, М. В. Шраменко, С. Д. Якубович, “Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 – 1100 нм”, Квантовая электроника, 43:11 (2013),  994–998  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, M. V. Shramenko, S. D. Yakubovich, “Broadband semiconductor optical amplifiers of the spectral range 750 – 1100 nm”, Quantum Electron., 43:11 (2013), 994–998  isi  scopus] 14
54. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013),  895–897  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897  isi  scopus] 15
55. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  822–823  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “1.5 to 1.6 μm pulsed laser diode bars based on epitaxially stacked AlGaInAs/InP heterostructures”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823  isi  scopus] 2
56. П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013),  819–821  mathnet  elib [P. V. Gorlachuk, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, O. V. Zhuravleva, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. V. Ivanov, V. A. Simakov, “High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm”, Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821  isi  scopus] 2
57. Е. В. Андреева, С. Н. Ильиченко, Ю. О. Костин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды диапазона 800 – 900 нм с колоколообразной формой спектра”, Квантовая электроника, 43:8 (2013),  751–756  mathnet  elib [E. V. Andreeva, S. N. Il'ichenko, Yu. O. Kostin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes with bell-shaped spectra emitting in the range from 800 to 900 nm”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 751–756  isi  scopus] 9
58. Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, И. В. Яроцкая, “Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750 – 790 нм”, Квантовая электроника, 43:6 (2013),  509–511  mathnet  elib [N. S. Degtyareva, S. A. Kondakov, G. T. Mikayelyan, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, I. V. Yarotskaya, “High-power cw laser bars of the 750 – 790-nm wavelength range”, Quantum Electron., 43:6 (2013), 509–511  isi  scopus] 7
59. М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк, В. А. Петровский, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850 – 870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами”, Квантовая электроника, 43:5 (2013),  407–409  mathnet  elib [M. A. Ladugin, Yu. P. Koval', A. A. Marmalyuk, V. A. Petrovskii, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “High-power 850–870-nm pulsed lasers based on heterostructures with narrow and wide waveguides”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 407–409  isi  scopus] 15
2012
60. С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды “ближайшего” ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012),  961–963  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Nearest-IR superluminescent diodes with a 100-nm spectral width”, Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963  isi  scopus] 3
61. А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012),  15–17  mathnet  elib [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, V. A. Panarin, G. T. Mikaelyan, “Laser diode bars based on strain-compensated AlGaPAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17  isi  scopus] 12
2011
62. А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. А. Мармалюк, Н. А. Волков, В. С. Жолнеров, “Спектральные характеристики излучателя, предназначенного для накачки и детектирования эталонного квантового перехода цезиевого стандарта частоты”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  692–696  mathnet  elib [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, A. A. Marmalyuk, N. A. Volkov, V. S. Zholnerov, “Spectral characteristics of a laser emitter designed for pumping and detecting a reference quantum transition of a caesium frequency standard”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 692–696  isi  scopus] 8
63. С. Н. Ильченко, Ю. О. Костин, И. А. Кукушкин, М. А. Ладугин, П. И. Лапин, А. А. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды и полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750 — 800 нм”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  677–680  mathnet  elib [S. N. Il'chenko, Yu. O. Kostin, I. A. Kukushkin, M. A. Ladugin, P. I. Lapin, A. A. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. D. Yakubovich, “Broadband superluminescent diodes and semiconductor optical amplifiers for the spectral range 750 — 800 nm”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 677–680  isi  scopus] 7
2010
64. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  697–699  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “Dual-wavelength laser diodes based on epitaxially stacked heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 697–699  isi  scopus] 3
65. Е. И. Давыдова, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. В. Петров, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, И. В. Яроцкая, “Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур”, Квантовая электроника, 40:8 (2010),  682–684  mathnet  elib [E. I. Davydova, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. V. Petrov, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, I. V. Yarotskaya, “808-nm laser diode bars based on epitaxially stacked double heterostructures”, Quantum Electron., 40:8 (2010), 682–684  isi  scopus] 5
66. А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Усиление терагерцевого излучения на переходах между “лестницами” Ванье–Штарка в сверхрешетках со слабыми барьерами”, Квантовая электроника, 40:5 (2010),  400–405  mathnet  elib [A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Amplification of terahertz radiation on transitions between Wannier–Stark ladders in weak-barrier superlattices”, Quantum Electron., 40:5 (2010), 400–405  isi  scopus] 11
67. И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010),  95–97  mathnet  elib [I. I. Zasavitskii, D. A. Pashkeev, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, G. T. Mikaelyan, “An 8-μm quantum cascade laserproduced by the metalorganic vapour phase epitaxy method”, Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97  isi  scopus] 8
2009
68. Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, “Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs”, Матем. моделирование, 21:5 (2009),  114–126  mathnet 1
69. Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009),  723–726  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, “High-power laser diodes based on triple integrated InGaAs/AlGaAs/GaAs structures emitting at 0.9 μm”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726  isi  scopus] 14
70. А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Н. Яблонский, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, “Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке”, Квантовая электроника, 39:3 (2009),  247–250  mathnet  elib [A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. N. Yablonskii, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, “Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures”, Quantum Electron., 39:3 (2009), 247–250  isi  scopus] 2
71. Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009),  18–20  mathnet  elib [E. I. Davydova, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, A. V. Sukharev, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructures”, Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20  isi] 3
2008
72. М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, “Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 38:11 (2008),  989–992  mathnet  elib [M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. V. Krichevskii, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, A. V. Sukharev, “Double integrated nanostructures for pulsed 0.9-μm laser diodes”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 989–992  isi  scopus] 11
73. Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008),  744–746  mathnet  elib [E. V. Andreeva, N. A. Volkov, Yu. O. Kostin, P. I. Lapin, A. A. Marmalyuk, D. R. Sabitov, S. D. Yakubovich, “Broadband near-IR double quantum-well heterostructure superluminescent diodes”, Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746  isi  scopus] 1
74. В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Д. Р. Сабитов, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние особенностей формирования квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs на спектральные характеристики лазерных диодов, изготовленных на их основе”, Квантовая электроника, 38:2 (2008),  97–102  mathnet  elib [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, D. R. Sabitov, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Influence of the InGaAs/(Al)GaAs quantum-well heterostructure growth features on the spectral characteristics of laser diodes”, Quantum Electron., 38:2 (2008), 97–102  isi  scopus] 2
2007
75. А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, Р. В. Чернов, “Показатели преломления света твердых растворов AlGaInAs”, Квантовая электроника, 37:6 (2007),  545–548  mathnet  elib [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, R. V. Chernov, “Refractive indices of solid AlGaInAs solutions”, Quantum Electron., 37:6 (2007), 545–548  isi  scopus] 10
2006
76. П. И. Лапин, Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, С. Д. Якубович, “Mощные и широкополосные суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1000—1100 нм”, Квантовая электроника, 36:4 (2006),  315–318  mathnet  elib [P. I. Lapin, D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, S. D. Yakubovich, “High-power broadband superluminescent diodes emitting in the 1000–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 315–318  isi  scopus] 11
2005
77. В. П. Дураев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Сумароков, А. В. Сухарев, “Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм”, Квантовая электроника, 35:10 (2005),  909–911  mathnet [V. P. Duraev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, Yu. L. Ryaboshtan, M. A. Sumarokov, A. V. Sukharev, “Effect of GaAsP barrier layers on the parameters of InGaAs/AlGaAs laser diodes emitting in the 1050–1100-nm spectral range”, Quantum Electron., 35:10 (2005), 909–911  isi] 2
2004
78. Е. И. Давыдова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Одномодовые лазеры с гребневидным элементом, сформированные в источнике трансформаторно-связанной плазмы”, Квантовая электроника, 34:9 (2004),  805–808  mathnet [E. I. Davydova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “Single-mode ridge lasers fabricated in an inductively coupled plasma source”, Quantum Electron., 34:9 (2004), 805–808  isi] 1
79. Д. С. Мамедов, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, С. Д. Якубович, В. В. Прохоров, “Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 34:3 (2004),  206–208  mathnet [D. S. Mamedov, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, S. D. Yakubovich, V. V. Prokhorov, “Double-pass superluminescent multilayer quantum-well (GaAl)As heterostructure diodes with a reduced power consumption”, Quantum Electron., 34:3 (2004), 206–208  isi] 1
2003
80. А. А. Андронов, М. Н. Дроздов, Д. И. Зинченко, А. А. Мармалюк, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Падалица, А. В. Соснин, А. В. Устинов, В. И. Шашкин, “Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора”, УФН, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi 17
2002
81. В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104  mathnet [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104  isi] 21
82. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814  isi] 4
83. П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  216–218  mathnet [P. V. Bulaev, O. I. Govorkov, I. D. Zalevskii, V. G. Krigel, A. A. Marmalyuk, D. B. Nikitin, A. A. Padalitsa, A. V. Petrovskii, “Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 216–218  isi]
84. П. В. Булаев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Д. Б. Никитин, А. В. Петровский, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, В. В. Оськин, М. В. Зверков, В. А. Симаков, Г. М. Зверев, “Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения”, Квантовая электроника, 32:3 (2002),  213–215  mathnet [P. V. Bulaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, D. B. Nikitin, A. V. Petrovskii, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, V. V. Os'kin, M. V. Zverkov, V. A. Simakov, G. M. Zverev, “High-power semiconductor 0.89 – 1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures”, Quantum Electron., 32:3 (2002), 213–215  isi] 7
2001
85. А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001),  659–660  mathnet [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660  isi] 5
1999
86. В. В. Безотосный, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, В. П. Коняев, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Шишкин, “Мощные диодные лазеры с длиной волны 1.06 мкм на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs с уменьшенной расходимостью в плоскости, перпендикулярной p — n-переходу”, Квантовая электроника, 27:1 (1999),  1–2  mathnet [V. V. Bezotosnyi, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, V. P. Konyaev, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Shishkin, “Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p — n junction”, Quantum Electron., 29:4 (1999), 283–284  isi] 1
1998
87. А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин, В. А. Горбылев, “Расчетная оценка температуры Дебая и температурной зависимости теплоемкости нитридов алюминия, галлия и индия”, ТВТ, 36:5 (1998),  839–842  mathnet; A. A. Marmalyuk, R. Kh. Akchurin, V. A. Gorbylev, “Theoretical calculation of the Debye temperature and temperature dependence of heat capacity of aluminum, gallium and indium nitrides”, High Temperature, 36:5 (1998), 817–819  isi 4
2024
88. В. В. Дюделев, Е. Д. Черотченко, И. И. Врубель, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, В. Ю. Мыльников, С. Н. Лосев, Е. А. Когновицкая, А. В. Бабичев, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, К. А. Подгаецкий, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, И. И. Новиков, В. И. Кучинский, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ”, УФН, 194:1 (2024),  98–105  mathnet; V. V. Dudelev, E. D. Cherotchenko, I. I. Vrubel, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, V. Yu. Mylnikov, S. N. Losev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Babichev, A. V. Lutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, K. A. Podgaetskiy, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, I. I. Novikov, V. I. Kuchinskii, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Quantum cascade lasers for the 8-$\mu$m spectral range: technology, design, and analysis”, Phys. Usp., 67:1 (2024), 92–98  isi  scopus 3
2018
89. О. Н. Крохин, Ю. В. Гуляев, А. С. Сигов, И. А. Щербаков, М. Г. Васильев, В. П. Дураев, А. Г. Забродский, Г. М. Зверев, И. Б. Ковш, Ю. А. Кротов, Е. В. Кузнецов, А. А. Мармалюк, Ю. М. Попов, А. С. Семенов, В. А. Симаков, “Памяти Василия Ивановича Швейкина (4 февраля 1935 г. – 4 января 2018 г.)”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  290  mathnet  elib [O. N. Krokhin, Yu. V. Gulyaev, A. S. Sigov, I. A. Shcherbakov, M. G. Vasil'ev, V. P. Duraev, A. G. Zabrodskii, G. M. Zverev, I. B. Kovsh, Yu. A. Krotov, E. V. Kuznetsov, A. A. Marmalyuk, Yu. M. Popov, A. S. Semenov, V. A. Simakov, “In memory of Vasilii Ivanovich Shveikin (4 February 1935 – 4 January 2018)”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 290  isi]
2002
90. П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002),  564  mathnet

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024