Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [Quantum Electron., 39:1 (2009), 18

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 1, страницы 18–20 (Mi qe13933)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом

Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

PDF полного текста (155 kB) Список цитирования (3)

Аннотация: Изучены излучательные характеристики одномодовых лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/AlGaAs, легированных углеродом и выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Полученные результаты показали, что сохранение на всех этапах изготовления активного элемента полупроводникового лазера заданного профиля легирования, обеспечивающего оптимизацию последовательного сопротивления и внутренних оптических потерь, приводит к повышению эффективности работы лазера. На основе исследованных лазерных гетероструктур созданы высокоэффективные лазерные диоды, работающие на одной поперечной моде, с длиной волны генерации 980 нм и максимальной мощностью 300 мВт.

Поступила в редакцию: 24.06.2008

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 1, Pages 18–20
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n01ABEH013933

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 78.66.-w

Образец цитирования: Е. И. Давыдова, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, А. В. Петровский, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs, легированных углеродом”, Квантовая электроника, 39:1 (2009), 18–20 [Quantum Electron., 39:1 (2009), 18–20]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe13933

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i1/p18

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	242
PDF полного текста:	137
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы