Мощные полупроводниковые лазеры (λ = 0.89–1.06 мкм) на основе квантоворазмерных напряженных структур в системе InGaAs/(Al)GaAs с малой расходимостью излучения

Исследованы гетеролазеры с раздельным электронным и оптическим ограничением на основе квантоворазмерных напряженных структур с одной и двумя квантовыми ямами InGaAs и различными параметрами волновода. Проведена оптимизация конструкции гетероструктуры и условий технологии выращивания квантовых ям с целью повышения выходной мощности излучения и снижения расходимости излучения гетеролазера. Получены полупроводниковые лазеры с выходной мощностью до 4 Вт в непрерывном режиме и расходимостью излучения в плоскости, перпендикулярной плоскости p–n-перехода, менее 30°. Импульсная выходная мощность таких лазеров ограничена катастрофическим разрушением зеркал при линейной плотности мощности 3000 Вт/см.