Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286 [Quantum Electron., 51:4 (2021), 283

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 4, страницы 283–286 (Mi qe17433)

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов

Н. А. Волков^a, В. Н. Светогоров^a, Ю. Л. Рябоштан^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^ab, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

PDF полного текста (558 kB) Список цитирования (5)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Проведено сравнительное изучение полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким и сильно асимметричным волноводами. Показано, что применение таких волноводов при одновременном увеличении энергетической глубины квантовой ямы обеспечивает возможность достижения повышенной мощности. Подобные лазеры на основе как сильно асимметричного, так и сверхузкого волноводов с полосковыми контактами шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 5 Вт (при токах накачки 11.5 и 14 А соответственно) в непрерывном режиме работы при комнатной температуре на длине волны генерации 1450–1500 нм.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, сверхузкий волновод, асимметричный волновод.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (договор № 02.а03.21.0005).

Поступила в редакцию: 16.02.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 4, Pages 283–286
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17540

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. А. Волков, В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Сравнение полупроводниковых лазеров AlGaInAs/InP (λ = 1450–1500 нм) со сверхузким и сильно асимметричным типом волноводов”, Квантовая электроника, 51:4 (2021), 283–286 [Quantum Electron., 51:4 (2021), 283–286]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17433

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i4/p283

Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	201
PDF полного текста:	38
Список литературы:	23
Первая страница:	30

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы