|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 11, страницы 961–963
(Mi qe14981)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма
Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм
С. Н. Ильченкоa, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкc, С. Д. Якубовичd a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b ООО "Сигм Плюс", г. Москва
c ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
d Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Аннотация:
Экспериментально исследованы квантоворазмерные суперлюминесцентные диоды с экстремально тонким активным слоем состава (InGa)As. В непрерывном режиме инжекции выходная мощность таких диодов составляет единицы милливатт при центральной длине волны 830 нм и ширине спектра около 100 нм.
Ключевые слова:
суперлюминесцентный диод, оптическая когерентная томография.
Поступила в редакцию: 19.09.2012
Образец цитирования:
С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. Д. Якубович, “Суперлюминесцентные диоды "ближайшего" ИК диапазона с шириной спектра 100 нм”, Квантовая электроника, 42:11 (2012), 961–963 [Quantum Electron., 42:11 (2012), 961–963]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14981 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i11/p961
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 251 | PDF полного текста: | 109 | Список литературы: | 36 | Первая страница: | 4 |
|