|
Квантовая электроника, 2012, том 42, номер 1, страницы 15–17
(Mi qe14737)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Лазеры
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений
А. А. Мармалюкa, М. А. Ладугинa, И. В. Яроцкаяa, В. А. Панаринb, Г. Т. Микаелянb a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
b ФГУП Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов
Аннотация:
Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены и исследованы лазерные гетероструктуры: традиционные — в системе AlGaAs/GaAs и "скомпенсированные" фосфором — в системе AlGaAs/AlGaPAs/GaAs, излучающие на длине волны 850 нм. Изготовлены линейки лазерных диодов и исследованы их выходные характеристики. Примененная методика роста гетерослоев позволила управлять механическими напряжениями (с целью их минимизации) в лазерной гетероструктуре AlGaPAs/GaAs, благодаря этому удалось сохранить ее кривизну на уровне исходной кривизны подложки. Показано, что использование скомпенсированной гетероструктуры AlGaPAs/GaAs улучшает линейное распределение излучающих элементов в ближнем поле линеек лазерных диодов и способствует сохранению наклона ватт-амперной характеристики при высоких токах накачки благодаря однородному контакту с теплоотводом всех излучающих элементов. Радиус кривизны выращенных скомпенсированных гетероструктур оказался меньше, чем у традиционных.
Ключевые слова:
линейки лазерных диодов, эпитаксиальные гетероструктуры, механические напряжения, диаграмма направленности.
Поступила в редакцию: 29.09.2011 Исправленный вариант: 14.10.2011
Образец цитирования:
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, И. В. Яроцкая, В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaPAs/GaAs с компенсацией механических напряжений”, Квантовая электроника, 42:1 (2012), 15–17 [Quantum Electron., 42:1 (2012), 15–17]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14737 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v42/i1/p15
|
|