| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях) Письма 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами А. Ю. Абазадзеa, В. В. Безотосныйb, Т. Г. Гурьеваa, Е. И. Давыдоваa, И. Д. Залевскийa, Г. М. Зверевa, А. В. Лобинцовa, А. А. Мармалюкa, С. М. Сапожниковa, В. А. Симаковa, М. Б. Успенскийa, В. А. Шишкинa a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n08ABEH002005 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|