|
Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 8, страницы 659–660
(Mi qe2005)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Письма
150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами
А. Ю. Абазадзеa, В. В. Безотосныйb, Т. Г. Гурьеваa, Е. И. Давыдоваa, И. Д. Залевскийa, Г. М. Зверевa, А. В. Лобинцовa, А. А. Мармалюкa, С. М. Сапожниковa, В. А. Симаковa, М. Б. Успенскийa, В. А. Шишкинa a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Получены лазерные линейки на длине волны 808 нм с рекордно высокими излучательными параметрами. Выходная мощность линеек равнялась 150 вт при токе накачки 146 А и длительности импульса 0.2 мс и была ограничена максимальным током источника питания. Внешняя дифференциальная квантовая эффективность, измеренная со стороны выходного зеркала, составила 80%, максимально полный КПД – 51%.
Поступила в редакцию: 28.06.2001
Образец цитирования:
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2005 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i8/p659
|
|