Непрерывные лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs

Представлены результаты разработки и исследования основных характеристик интегрированных лазерных излучателей спектрального диапазона 1040–1080 нм. Указанные приборы были изготовлены на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной или двумя излучающими областями, измерения проводились в импульсном, квазинепрерывном и непрерывном режимах накачки. Установлено, что наряду с очевидным преимуществом интегрированных излучателей – увеличением выходной оптической мощности, они обладают и существенным ограничением, заключающимся в увеличении количества выделяемого тепла. Несмотря на это, показано, что такие интегрированные двойные лазерные диоды эффективно работают в непрерывном режиме генерации (P_max ~ 6 Вт), демонстрируя увеличение дифференциальной квантовой эффективности в 1.7 раза по сравнению с одиночными лазерными диодами.