|
Квантовая электроника, 2015, том 45, номер 7, страницы 601–603
(Mi qe16210)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Лазеры
Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN
Н. А. Гамовa, Е. В. Ждановаa, М. М. Зверевa, Д. В. Перегудовa, В. Б. Студеновa, А. В. Мазаловb, В. А. Курешовb, Д. Р. Сабитовb, А. А. Падалицаb, А. А. Мармалюкbc a Московский государственный университет информационных технологий, радиотехники и электроники
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация:
Исследованы параметры импульсных сине-фиолетовых (λ ≈ 430 нм при Т = 300 К) лазеров на основе структуры AlGaN/InGaN/GaN с пятью квантовыми ямами InGaN с поперечной накачкой электронным пучком. При комнатной температуре активного элемента минимальная рабочая энергия электронов составила 9 кэВ, минимальная пороговая плотность тока пучка электронов – 8 А/см2 при энергии электронов 18 кэВ.
Ключевые слова:
лазер с электронно-лучевой накачкой, квантово-размерная структура, квантовая яма.
Поступила в редакцию: 09.02.2015 Исправленный вариант: 27.03.2015
Образец цитирования:
Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 601–603 [Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16210 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v45/i7/p601
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 324 | PDF полного текста: | 132 | Список литературы: | 29 | Первая страница: | 32 |
|