В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 909

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 10, страницы 909–911 (Mi qe17925)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры

Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом

В. Н. Светогоров^a, Ю. Л. Рябоштан^a, Н. А. Волков^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^ab, К. В. Бахвалов^c, Д. А. Веселов^c, А. В. Лютецкий^c, В. А. Стрелец^c, С. О. Слипченко^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (383 kB) Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Созданы мощные полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в спектральном диапазоне 1.9–2.0 мкм. Компенсация упругих напряжений в активной области позволила использовать квантовые ямы InGaAs с напряжением сжатия около 2.0% – 2.5%. Исследована работа лазера со сверхузким волноводом при увеличении длины волны излучения от 1.4–1.6 до 2.0 мкм. Полупроводниковые лазеры с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 1.0 Вт в непрерывном режиме работы при комнатной температуре при токе накачки 6.5 А на длине волны 1.91 мкм и 7.2 А на длине волны 1.98 мкм.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, сверхузкий волновод, 2-мкм спектральная область.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Российский научный фонд	19-79-30072
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005) и проекта РНФ № 19-79-30072.

Поступила в редакцию: 29.07.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 10, Pages 909–911
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17635

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: В. Н. Светогоров, Ю. Л. Рябоштан, Н. А. Волков, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, К. В. Бахвалов, Д. А. Веселов, А. В. Лютецкий, В. А. Стрелец, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “Мощные полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры спектрального диапазона 1.9–2.0 мкм со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 51:10 (2021), 909–911 [Quantum Electron., 51:10 (2021), 909–911]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17925

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i10/p909

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	179
PDF полного текста:	29
Список литературы:	30
Первая страница:	19

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы