Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 8, страницы 744–746 (Mi qe13772)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Лазеры, активные среды лазеров

Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур

Е. В. Андрееваa, Н. А. Волковa, Ю. О. Костинa, П. И. Лапинa, А. А. Мармалюкb, Д. Р. Сабитовb, С. Д. Якубовичc

a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
c Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Аннотация: Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) со спектром излучения в полосе 800 — 900 нм, созданные на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур (КРС) в системе (AlGa)As/GaAs. Показано, что эти СЛД позволяют получить достаточно высокую мощность выходного излучения с шириной спектра более 55 нм при значительно меньших длинах активного канала, чем у СЛД на основе аналогичных однослойных КРС. Несмотря на повышенную плотность рабочего тока инжекции, срок службы исследованных СЛД превышает 10000 ч.
Поступила в редакцию: 03.12.2007
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 8, Pages 744–746
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n08ABEH013772
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb, 42.60.Lh


Образец цитирования: Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008), 744–746 [Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13772
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i8/p744
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:219
    PDF полного текста:83
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024