|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 8, страницы 744–746
(Mi qe13772)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Лазеры, активные среды лазеров
Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
Е. В. Андрееваa, Н. А. Волковa, Ю. О. Костинa, П. И. Лапинa, А. А. Мармалюкb, Д. Р. Сабитовb, С. Д. Якубовичc a ООО "Суперлюминесцентные диоды", г. Москва
b «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
c Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет)
Аннотация:
Экспериментально исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) со спектром излучения в полосе 800 — 900 нм, созданные на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур (КРС) в системе (AlGa)As/GaAs. Показано, что эти СЛД позволяют получить достаточно высокую мощность выходного излучения с шириной спектра более 55 нм при значительно меньших длинах активного канала, чем у СЛД на основе аналогичных однослойных КРС. Несмотря на повышенную плотность рабочего тока инжекции, срок службы исследованных СЛД превышает 10000 ч.
Поступила в редакцию: 03.12.2007
Образец цитирования:
Е. В. Андреева, Н. А. Волков, Ю. О. Костин, П. И. Лапин, А. А. Мармалюк, Д. Р. Сабитов, С. Д. Якубович, “Широкополосные суперлюминесцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 38:8 (2008), 744–746 [Quantum Electron., 38:8 (2008), 744–746]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13772 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i8/p744
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 219 | PDF полного текста: | 83 | Первая страница: | 1 |
|