Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [Quantum Electron., 50:9 (2020), 830

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 9, страницы 830–833 (Mi qe17322)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры, активные среды лазеров

Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

Д. Р. Сабитов^a, Ю. Л. Рябоштан^a, В. Н. Светогоров^a, А. А. Падалица^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, М. Г. Васильев^c, А. М. Васильев^c, Ю. О. Костин^c, А. А. Шелякин^c

^a ООО "Сигм плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва

PDF полного текста (613 kB) Список цитирования (3)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды, созданные на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaInAs/InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами. Проанализировано влияние введения упругих напряжений в активную область на выходные характеристики приборов. Показано, что такая конструкция суперлюминесцентного диода позволяет обеспечить оптическую мощность более 5 мВт на выходе одномодового волоконного световода, ширину спектра излучения более 60 нм, степень поляризации выходного излучения до 30 дБ и имеет большие возможности дальнейшего улучшения.

Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, квантовая яма, компенсация упругих напряжений, AlGaInAs/InP.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций	I.15.1
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005), Программы Президиума РАН “Научные основы создания новых функциональных материалов” (Программа I.15.1).

Поступила в редакцию: 01.06.2020
Исправленный вариант: 19.06.2020

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 9, Pages 830–833
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17376

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17322

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i9/p830

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	199
PDF полного текста:	45
Список литературы:	26
Первая страница:	15

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы