Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 9, страницы 830–833 (Mi qe17322)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры, активные среды лазеров

Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP

Д. Р. Сабитовa, Ю. Л. Рябоштанa, В. Н. Светогоровa, А. А. Падалицаa, М. А. Ладугинa, А. А. Мармалюкab, М. Г. Васильевc, А. М. Васильевc, Ю. О. Костинc, А. А. Шелякинc

a ООО "Сигм плюс", г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Исследованы суперлюминесцентные диоды, созданные на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaInAs/InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами. Проанализировано влияние введения упругих напряжений в активную область на выходные характеристики приборов. Показано, что такая конструкция суперлюминесцентного диода позволяет обеспечить оптическую мощность более 5 мВт на выходе одномодового волоконного световода, ширину спектра излучения более 60 нм, степень поляризации выходного излучения до 30 дБ и имеет большие возможности дальнейшего улучшения.
Ключевые слова: суперлюминесцентный диод, квантовая яма, компенсация упругих напряжений, AlGaInAs/InP.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.а03.21.0005
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций I.15.1
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005), Программы Президиума РАН “Научные основы создания новых функциональных материалов” (Программа I.15.1).
Поступила в редакцию: 01.06.2020
Исправленный вариант: 19.06.2020
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 9, Pages 830–833
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17376
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Д. Р. Сабитов, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, М. Г. Васильев, А. М. Васильев, Ю. О. Костин, А. А. Шелякин, “Суперлюминесцентные диоды спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм на основе напряженно-компенсированных квантовых ям AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 50:9 (2020), 830–833 [Quantum Electron., 50:9 (2020), 830–833]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe17322
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i9/p830
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:212
    PDF полного текста:48
    Список литературы:27
    Первая страница:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024