Линейки лазерных диодов с длиной волны излучения λ=808 нм на основе двойных эпитаксиально-интегрированых гетероструктур

Созданы и исследованы линейки одиночных лазерных диодов (ЛД) и двойных эпитаксиально-интегрированных ЛД на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs, излучающих в спектральной области 808 нм. Наклон ватт-амперной характеристики для линейки двойных ЛД составил 2.18 Вт/А, что практически в два раза больше, чем у линейки одиночных ЛД (1.16 Вт/А). При этом имеет место кратное увеличение падения напряжения на структуре. Выходная мощность линеек ЛД длиной 5 мм на основе двойной эпитаксиально-интегрированной гетероструктуры в квазинепрерывном режиме накачки составила 100 Вт при токе накачки 60 А, что в 1.8 раза превышает мощность, полученную при тех же условиях от линейки одиночных ЛД.