Влияние параметров квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на пороговую плотность тока лазерных диодов

Предложен подход к выбору параметров (ширины и глубины) квантоворазмерной области (Al)GaAs/AlGaAs на основе расчета пороговой плотности тока полупроводникового лазера. Детальная оценка различных ее составляющих позволила установить критерии поиска оптимального диапазона ширин квантовой ямы, обеспечивающей минимальное значение порогового тока для лазеров с различной геометрией гетероструктуры. Представленные в работе данные продемонстрировали возможности дальнейшего улучшения выходных характеристик полупроводникового лазера за счет оптимизации конструкции и технологии гетероструктуры с квантовой ямой. Благодаря этому были одновременно снижены пороговый ток, выброс носителей заряда и внутренние оптические потери, что дало возможность получить высокие (60%–70%) КПД полупроводникового лазера спектрального диапазона 800–850 нм.