Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью

Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены две серии лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs и исследованы изготовленные из них линейки лазерных диодов, излучающие на длине волны 808 нм. Гетероструктуры различались толщиной волновода и глубиной залегания квантовой ямы. Показано, что повышение барьера для носителей в активной области благоприятно сказывается на выходных параметрах излучателей в случае гетероструктур с узким симметричным волноводом, наклон ватт-амперных характеристик для этих структур вырос с 0.9 до 1.05 Вт/А. Таким образом, геометрия структур с узким волноводом и глубокой ямой является более целесообразной для мощных линеек лазерных диодов в условиях затрудненного теплоотовода.