Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013 [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 11, страницы 1011–1013 (Mi qe17148)

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Двойной интегрированный лазер-тиристор

Т. А. Багаев^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^a, Ю. В. Курнявко^a, А. В. Лобинцов^a, А. И. Данилов^a, С. М. Сапожников^a, В. В. Кричевский^a, М. В. Зверков^a, В. П. Коняев^a, В. А. Симаков^a, С. О. Слипченко^b, А. А. Подоскин^b, Н. А. Пихтин^b

^a ОАО ««НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха», г. Москва
^b Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

PDF полного текста (494 kB) Список цитирования (6)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Представлены результаты сравнительных экспериментальных исследований полупроводникового лазера с различным числом излучающих секций (одной и двумя), монолитно интегрированного с электронным ключом (тиристором). Показано, что функциональная интеграция лазера и тиристора в рамках одной гетероструктуры позволяет обеспечить эффективное функционирование излучателя в импульсном режиме работы (до 50 Вт), а использование вертикальной интеграции двух лазерных секций в таком приборе дополнительно повышает выходную оптическую мощность (до 90 Вт) при прочих равных условиях.

Ключевые слова: полупроводниковая гетероструктура, эпитаксиальная интеграция, интегрированный лазер-тиристор, выходная мощность.

Поступила в редакцию: 06.08.2019

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 11, Pages 1011–1013
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17104

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013 [Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17148

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i11/p1011

Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы