Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 8, страницы 7–11
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.08.47612.17662 (Mi pjtf5458) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs

П. С. Гавринаa, О. С. Соболеваa, А. А. Подоскинa, Д. Н. Романовичa, В. С. Головинa, С. О. Слипченкоa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
PDF полного текста (190 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.08.47612.17662
Аннотация: Предложена методика определения пространственно-временной динамики тока в полупроводниковых гетероструктурах, основанная на модуляции внешнего излучения при прохождении через исследуемый кристалл. Апробация методики проведена на полупроводниковых лазерах-тиристорах на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Продемонстрировано качественное совпадение результатов эксперимента с результатами предыдущих измерений пространственно-временной динамики в приборе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-38-00906
П.С. Гаврина и О.С. Соболева выражают благодарность Российскому фонду фундаментальных исследований (договор № 18-38-00906 “Закономерности формирования и развития пространственных неоднородностей тока в низковольтных полупроводниковых гетероструктурах с нелинейной обратной связью”).
Поступила в редакцию: 28.12.2018
Исправленный вариант: 23.01.2019
Принята в печать: 25.01.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 4, Pages 374–378
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785019040254
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavSobPod19}
\by П.~С.~Гаврина, О.~С.~Соболева, А.~А.~Подоскин, Д.~Н.~Романович, В.~С.~Головин, С.~О.~Слипченко, Н.~А.~Пихтин, Т.~А.~Багаев, М.~А.~Ладугин, А.~А.~Мармалюк, В.~А.~Симаков
\paper Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 8
\pages 7--11
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5458}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.08.47612.17662}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37645718}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2019
\vol 45
\issue 4
\pages 374--378
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785019040254}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5458
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i8/p7
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:67
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024