|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
П. С. Гавринаa, О. С. Соболеваa, А. А. Подоскинa, Д. Н. Романовичa, В. С. Головинa, С. О. Слипченкоa, Н. А. Пихтинa, Т. А. Багаевb, М. А. Ладугинb, А. А. Мармалюкb, В. А. Симаковb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Аннотация:
Предложена методика определения пространственно-временной динамики тока в полупроводниковых гетероструктурах, основанная на модуляции внешнего излучения при прохождении через исследуемый кристалл. Апробация методики проведена на полупроводниковых лазерах-тиристорах на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs. Продемонстрировано качественное совпадение результатов эксперимента с результатами предыдущих измерений пространственно-временной динамики в приборе.
Поступила в редакцию: 28.12.2018 Исправленный вариант: 23.01.2019 Принята в печать: 25.01.2019
Образец цитирования:
П. С. Гаврина, О. С. Соболева, А. А. Подоскин, Д. Н. Романович, В. С. Головин, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Экспериментальные исследования динамики распространения включенного состояния низковольтных лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:8 (2019), 7–11; Tech. Phys. Lett., 45:4 (2019), 374–378
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5458 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i8/p7
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 67 | PDF полного текста: | 12 |
|