Аннотация:
Рассмотрены вопросы повышения выходной импульсной мощности лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе гетероструктур InGaAs/AlGaInAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что использование некоторых вариаций параметров волноводного слоя может обеспечить повышение квантовой эффективности и снижение внутренних оптических потерь. Приведены результаты исследования лазерных диодов на основе предложенных гетероструктур.
Образец цитирования:
П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821 [Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821]
О. О. Багаева, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 649–652; Quantum Electron., 49:7 (2019), 649–652