Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 9, страницы 819–821 (Mi qe15284)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Рассмотрены вопросы повышения выходной импульсной мощности лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе гетероструктур InGaAs/AlGaInAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что использование некоторых вариаций параметров волноводного слоя может обеспечить повышение квантовой эффективности и снижение внутренних оптических потерь. Приведены результаты исследования лазерных диодов на основе предложенных гетероструктур.
Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, лазерный диод, спектральный диапазон 1.5 – 1.6 мкм.
Поступила в редакцию: 17.07.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 9, Pages 819–821
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n09ABEH015284
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 42.79.Gn


Образец цитирования: П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 819–821 [Quantum Electron., 43:9 (2013), 819–821]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe15284
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i9/p819
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024