А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 272–274 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 272

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 3, страницы 272–274 (Mi qe16567)

Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

Лазеры

Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами

А. А. Мармалюк^ab, Ю. Л. Рябоштан^a, П. В. Горлачук^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
^c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (490 kB) Список цитирования (25)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Созданы лазерные диоды на основе гетероструктур AlGaInAs / InP со сверхузким волноводом. Показано, что применение такого волновода при использовании профильного легирования обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. Лазерные диоды с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали при комнатной температуре выходную оптическую мощность свыше 4 Вт в непрерывном и свыше 20 Вт в импульсном режиме работы.

Ключевые слова: гетероструктура AlGaInAs / InP, МОС-гидридная эпитаксия, лазерный диод, безопасная для глаз область спектра.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.

Поступила в редакцию: 30.01.2017

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 3, Pages 272–274
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16294

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами”, Квантовая электроника, 47:3 (2017), 272–274 [Quantum Electron., 47:3 (2017), 272–274]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16567

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i3/p272

Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	450
PDF полного текста:	151
Список литературы:	51
Первая страница:	33

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы