Двойные интегрированные наноструктуры для импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 мкм

Исследованы двойные интегрированные лазерные гетероструктуры на основе системы InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии в едином эпитаксиальном процессе. Типичные значения наклона ватт-амперной характеристики для одиночного лазерного диода составили 1.08 — 1.15 Вт/А, а для двойного интегрированного они оказались существенно больше (1.88 — 2.01 Вт/А). Изготовленные двойные лазерные диоды, излучающие на длине волны около 0.9 мкм и работающие в импульсном режиме (100 нс, 10 кГц), позволили получить мощность излучения 50 Вт при токе накачки 30 А.