Математическое моделирование
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Математическое моделирование, 2009, том 21, номер 5, страницы 114–126 (Mi mm2838)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs

Р. Х. Акчуринa, Л. Б. Берлинерa, А. А. Малджыa, А. А. Мармалюкb

a МИТХТ им. М. В. Ломоносова, Москва
b ООО "Сигм Плюс", Москва
PDF полного текста (258 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Предложена модель для прогнозирования концентрационных профилей индия и напряжений несоответствия в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии. Моделирование основано на рассмотрении процесса эпитаксиального роста как последовательности формирования воображаемых эпитаксиальных слоев с толщиной, равной параметру кристаллической решетки. Для каждого такого слоя определяются упругие напряжения и вызванное ими смещение термодинамического равновесия, определяющее изменение состава наращиваемого твердого раствора InGaAs. Приводятся результаты расчета концентрационных профилей индия и профилей эффективных сдвиговых напряжений, определяющих вероятность образования дислокаций несоответствия в гетероструктурах с одиночными и множественными квантовыми ямами.
Поступила в редакцию: 27.12.2007
Образец цитирования: Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, А. А. Малджы, А. А. Мармалюк, “Математическая модель для расчета сегрегации индия и напряжений несоответствия в наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs”, Матем. моделирование, 21:5 (2009), 114–126
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkcBerMal09}
\by Р.~Х.~Акчурин, Л.~Б.~Берлинер, А.~А.~Малджы, А.~А.~Мармалюк
\paper Математическая модель для расчета сегрегации индия и~напряжений несоответствия в~наноразмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
\jour Матем. моделирование
\yr 2009
\vol 21
\issue 5
\pages 114--126
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm2838}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm2838
  • https://www.mathnet.ru/rus/mm/v21/i5/p114
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Математическое моделирование
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:718
    PDF полного текста:252
    Список литературы:94
    Первая страница:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024