А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 519

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2019, том 49, номер 6, страницы 519–521 (Mi qe17061)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Подборка работ, доложенных на Симпозиуме 'Полупроводниковые лазеры: физика и технология'

Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером

А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

PDF полного текста (431 kB) Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP с различными барьерными слоями. Показано, что использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку носителей, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, электронный барьер.

Поступила в редакцию: 04.04.2019

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2019, Volume 49, Issue 6, Pages 519–521
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17032

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17061

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v49/i6/p519

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы