|
Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 2, страницы 95–97
(Mi qe14282)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Письма
Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии
И. И. Засавицкийa, Д. А. Пашкеевa, А. А. Мармалюкb, Ю. Л. Рябоштанb, Г. Т. Микаелянc a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
c Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов
Аннотация:
Методом МОС-гидридной эпитаксии создан квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм). Использована схема вертикальных переходов в структуре из трех квантовых ям. Лазер работает в импульсном режиме при температурах до 250К. Пороговая плотность тока составляла около 3 кА/см2 при 77 К и возрастала до 6 кА/см2 при 250 К. Мощность излучения в импульсе (1 мкс) в многомодовом режиме равнялась 45 мВт при 77 К.
Поступила в редакцию: 24.01.2010
Образец цитирования:
И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, Г. Т. Микаелян, “Квантовый каскадный лазер (λ ~ 8 мкм), получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 40:2 (2010), 95–97 [Quantum Electron., 40:2 (2010), 95–97]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14282 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i2/p95
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 409 | PDF полного текста: | 190 | Список литературы: | 61 | Первая страница: | 1 |
|