Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 3, страницы 292–295
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49035.9296 (Mi phts5267) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям

А. Э. Асланянa, Л. П. Авакянцa, А. В. Червяковa, А. Н. Туркинa, В. А. Курешовb, Д. Р. Сабитовb, А. А. Мармалюкb

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b ООО "Сигм Плюс", г. Москва
PDF полного текста (265 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49035.9296
Аннотация: Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350–500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях $p$–$n$-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений $p$–$n$-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области.
Ключевые слова: светодиодные гетероструктуры, фототок, квантовая яма, нитрид галлия.
Поступила в редакцию: 28.10.2019
Исправленный вариант: 06.11.2019
Принята в печать: 06.11.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 3, Pages 362–365
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620030021
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 292–295; Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AslAvaChe20}
\by А.~Э.~Асланян, Л.~П.~Авакянц, А.~В.~Червяков, А.~Н.~Туркин, В.~А.~Курешов, Д.~Р.~Сабитов, А.~А.~Мармалюк
\paper Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 292--295
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5267}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49035.9296}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776685}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 3
\pages 362--365
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620030021}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5267
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i3/p292
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:79
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024