Переключение длины волны стимулированного излучения в лазерных гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке

В ближнем ИК диапазоне получено стимулированное излучение гетероструктур InGaAs/AlGaInAs при оптической накачке. Обнаружено переключение длины волны стимулированного излучения от 1.9 мкм до 1.55 мкм и затем до 1.2 мкм при увеличении интенсивности оптической накачки. Возникновение переключения связано с конкретной геометрией структуры (профилем ширины запрещенной зоны по толщине) и конкуренцией стимулированных излучений на разных частотах в разных пространственных областях структуры.