Полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером

Созданы полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP со сверхузким волноводом и повышенным электронным барьером. Показано, что применение такого волновода совместно с профильным легированием обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. Дополнительное использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку электронов из активной области, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки. Созданные лазеры с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность в непрерывном режиме работы 4.0 – 4.4 Вт (ток накачки 14 А) и в импульсном (100 нс, 1 кГц) режиме 15 – 17 Вт (ток накачки 100 А) при комнатной температуре на длине волны генерации 1450 – 1500 нм.