М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695 [Quantum Electron., 47:8 (2017), 693

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 8, страницы 693–695 (Mi qe16666)

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Лазеры

Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%

М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, А. А. Падалица^a, К. Ю. Телегин^a, А. В. Лобинцов^a, С. М. Сапожников^a, А. И. Данилов^a, А. В. Подкопаев^a, В. А. Симаков^a

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

PDF полного текста (630 kB) Список цитирования (6)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Продемонстрированы результаты создания решеток лазерных диодов, работающих в квазинепрерывном режиме на длине волны 808 нм с высоким КПД. Излучатели были изготовлены на основе полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Приведены данные измерений спектральных, пространственных, электрических и мощностных характеристик. Выходная оптическая мощность излучателя с размерами тела свечения 5 × 10 мм составляла 2.7 кВт при рабочем токе накачки 100 А, максимальный КПД достигал 62%.

Ключевые слова: решетки лазерных диодов, КПД, квантоворазмерные гетероструктуры, МОС-гидридная эпитаксия, AlGaAs / GaAs.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при частичной поддержке программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.

Поступила в редакцию: 31.05.2017

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 8, Pages 693–695
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16441

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62%”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695 [Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16666

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i8/p693

Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы