К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492 [Quantum Electron., 50:5 (2020), 489

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2020, том 50, номер 5, страницы 489–492 (Mi qe17251)

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры, управление параметрами лазерного излучения

Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs

К. Ю. Телегин^a, М. А. Ладугин^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, Н. А. Волков^a, А. А. Падалица^a, А. В. Лобинцов^a, А. Н. Апарников^a, С. М. Сапожников^a, А. А. Мармалюк^ab

^a АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

PDF полного текста (544 kB) Список цитирования (4)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Проанализировано влияние легирования волноводных слоев на выходные характеристики лазерных излучателей на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs. Изучены гетероструктуры с узким и расширенным волноводами. Экспериментально получены образцы линеек лазерных диодов с нелегированными и легированными волноводными слоями, и проведено их сравнение. Показано, что последний вариант конструкции структур с расширенным волноводом позволяет при прочих равных условиях увеличить выходную мощность линеек лазерных диодов на 10% – 15%.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, линейка лазерных диодов, волновод, легирование, выходная мощность.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005).

Поступила в редакцию: 24.01.2020

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2020, Volume 50, Issue 5, Pages 489–492
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17249

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492 [Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17251

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v50/i5/p489

Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы