М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 993

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 11, страницы 993–995 (Mi qe16932)

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs

М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

PDF полного текста (1013 kB) Список цитирования (5)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Представлены основные результаты разработки компактных мини-решеток лазерных диодов, работающих в импульсном режиме накачки на длине волны 875 нм, а также исследованы их приборные характеристики. Отличительной особенностью данных излучателей, помимо высокой выходной мощности (~1.5 кВт), является узкая диаграмма направленности (угловая расходимость 21° × 8°) и малая площадь излучения (менее 1 мм²). Использование для создания решеток лазерных диодов последовательно интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs с тремя излучающими областями, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило улучшить их рабочие параметры.

Ключевые слова: решетка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, интегрированная гетероструктура.

Поступила в редакцию: 05.09.2018

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 11, Pages 993–995
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16812

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16932

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i11/p993

Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	287
PDF полного текста:	55
Список литературы:	36
Первая страница:	24

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы