Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 11, страницы 993–995 (Mi qe16932)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs

М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков

АО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Список литературы:
Аннотация: Представлены основные результаты разработки компактных мини-решеток лазерных диодов, работающих в импульсном режиме накачки на длине волны 875 нм, а также исследованы их приборные характеристики. Отличительной особенностью данных излучателей, помимо высокой выходной мощности (~1.5 кВт), является узкая диаграмма направленности (угловая расходимость 21° × 8°) и малая площадь излучения (менее 1 мм2). Использование для создания решеток лазерных диодов последовательно интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs с тремя излучающими областями, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило улучшить их рабочие параметры.
Ключевые слова: решетка лазерных диодов, МОС-гидридная эпитаксия, интегрированная гетероструктура.
Поступила в редакцию: 05.09.2018
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 11, Pages 993–995
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16812
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe16932
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i11/p993
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Yankun Sun, Yangchun Rong, Ronghui Luo, Hanlin Yu, Trina Wong, Feng Hong, Athena Chang, 2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024, 1  crossref
    2. С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178  mathnet; Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178  crossref  isi
    3. А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087  mathnet; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417  crossref
    4. M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, T. A. Bagaev, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, I. I. Zasavitskii, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Crystals, 9:6 (2019), 305  crossref  isi  scopus
    5. Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013  mathnet; Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013  crossref  isi  elib
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:328
    PDF полного текста:70
    Список литературы:46
    Первая страница:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025