Аннотация:
Представлены основные результаты разработки компактных мини-решеток лазерных диодов, работающих в импульсном режиме накачки на длине волны 875 нм, а также исследованы их приборные характеристики. Отличительной особенностью данных излучателей, помимо высокой выходной мощности (~1.5 кВт), является узкая диаграмма направленности (угловая расходимость 21° × 8°) и малая площадь излучения (менее 1 мм2). Использование для создания решеток лазерных диодов последовательно интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs с тремя излучающими областями, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, позволило улучшить их рабочие параметры.
Образец цитирования:
М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe16932
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i11/p993
Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
Yankun Sun, Yangchun Rong, Ronghui Luo, Hanlin Yu, Trina Wong, Feng Hong, Athena Chang, 2024 Conference of Science and Technology for Integrated Circuits (CSTIC), 2024, 1
С. О. Слипченко, Д. Н. Романович, П. С. Гаврина, Д. А. Веселов, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 174–178; Quantum Electron., 52:2 (2022), 174–178
А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087; Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417
M. A. Ladugin, I. V. Yarotskaya, T. A. Bagaev, K. Yu. Telegin, A. Yu. Andreev, I. I. Zasavitskii, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Crystals, 9:6 (2019), 305
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013; Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013