| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях) Лазеры Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии И. И. Засавицкийab, А. Н. Зубовab, А. Ю. Андреевc, Т. А. Багаевc, П. В. Горлачукc, М. А. Ладугинc, А. А. Падалицаc, А. В. Лобинцовc, С. М. Сапожниковc, А. А. Мармалюкbc a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2016, Volume 46, Issue 5, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16058 
Реферативные базы данных:
   Образец цитирования: И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al0.45Ga0.55As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|