А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197

Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2018, том 48, номер 3, страницы 197–200 (Mi qe16780)

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Лазеры и усилители

Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм

А. А. Мармалюк^ab, Ю. Л. Рябоштан^a, П. В. Горлачук^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург

PDF полного текста (584 kB) Список цитирования (13)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Проанализировано влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP. Экспериментально получены образцы полупроводниковых лазеров с узким и широким волноводами. Проведено их сравнение и показано преимущество той или иной конструкции гетероструктур в зависимости от токовой накачки.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, выходная мощность.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (договор № 02.а03.21.0005).

Поступила в редакцию: 20.10.2017
Исправленный вариант: 25.12.2017

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2018, Volume 48, Issue 3, Pages 197–200
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16545

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Влияние толщины волноводных слоев на выходные характеристики полупроводниковых лазеров с длинами волн излучения 1500–1600 нм”, Квантовая электроника, 48:3 (2018), 197–200 [Quantum Electron., 48:3 (2018), 197–200]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16780

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v48/i3/p197

Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	553
PDF полного текста:	172
Список литературы:	53
Первая страница:	30

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы