Двухволновые лазерные диоды на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур

Получены и исследованы двойные интегрированные лазерные гетероструктуры на основе AlGaAs/GaAs, содержащие две различные активные области, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии в едином процессе роста. Типичный наклон ватт-амперной характеристики составил 2.3 Вт/А, что почти вдвое выше, чем у лазерного диода (1.2 Вт/А). Продемонстрирована генерация излучающих областей двухволновых лазеров в спектральном диапазоне 800 — 815 нм. Расстояние между спектральными максимумами составило ~7 нм. Исследована зависимость длины волны генерации активных областей как двухволновых, так и одиночных лазеров от тока накачки и показано, что более удаленная от теплоотвода излучающая область чувствительнее к увеличению тока накачки.