Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 179

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2022, том 52, номер 2, страницы 179–181 (Mi qe17987)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры

Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом

Н. А. Волков^a, К. Ю. Телегин^a, Н. В. Гультиков^a, Д. Р. Сабитов^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, А. А. Падалица^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, Л. И. Шестак^c, А. А. Козырев^cb, В. А. Панарин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c ФГУП Научно-производственное предприятие "Инжект", г. Саратов

PDF полного текста (443 kB) Список цитирования (3)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Целью работы было улучшение параметров вольт-амперной характеристики (ВАХ) полупроводниковых лазеров на основе двойных гетероструктур раздельного ограничения InGaAs/AlGaAs/GaAs с расширенным асимметричным волноводом. Проанализировано влияние состава волноводных слоев AlGaAs на выходные характеристики лазеров. Показано, что снижение последовательного сопротивления лазеров и напряжения отсечки ВАХ при уменьшении доли AlAs в волноводных слоях отодвигает начало падения дифференциальной квантовой эффективности с увеличением тока накачки, несмотря на уменьшение энергетической глубины квантовых ям активной области.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, асимметричный волновод, вольт-амперная характеристика, квантовая яма, выходная мощность.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Программа повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ	02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (дог. № 02.а03.21.0005).

Поступила в редакцию: 15.11.2021

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2022, Volume 52, Issue 2, Pages 179–181
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17987

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. А. Волков, К. Ю. Телегин, Н. В. Гультиков, Д. Р. Сабитов, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, А. А. Падалица, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Л. И. Шестак, А. А. Козырев, В. А. Панарин, “Улучшение параметров вольт-амперной характеристики полупроводниковых лазеров InGaAs/AlGaAs/GaAs (λ = 940–980 нм) с расширенным асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 52:2 (2022), 179–181 [Quantum Electron., 52:2 (2022), 179–181]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17987

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v52/i2/p179

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	227
PDF полного текста:	22
Список литературы:	25
Первая страница:	20

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы