П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823 [Quantum Electron., 43:9 (2013), 822

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2013, том 43, номер 9, страницы 822–823 (Mi qe15283)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP

П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков

ОАО «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

PDF полного текста (392 kB) Список цитирования (2)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Описаны линейки лазерных диодов на основе "двойных" эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP, излучающие в импульсном режиме на длине волны 1.55 мкм. Выходная оптическая мощность таких линеек в 1.8 раза превышает мощность линеек лазерных диодов на основе "одиночной" гетероструктуры. Приведены основные характеристики полученных лазерных излучателей.

Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, линейки лазерных диодов, эпитаксиальная интеграция.

Поступила в редакцию: 17.07.2013
Исправленный вариант: 26.07.2013

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2013, Volume 43, Issue 9, Pages 822–823
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2013v043n09ABEH015283

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.Lh, 78.66.Fd

Образец цитирования: П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, О. В. Журавлева, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, А. В. Иванов, В. А. Симаков, “Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP”, Квантовая электроника, 43:9 (2013), 822–823 [Quantum Electron., 43:9 (2013), 822–823]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe15283

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v43/i9/p822

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы