Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050–1100 нм

Для улучшения параметров лазерных диодов спектрального диапазона 1000–1070 нм и создания высокоэффективных лазерных диодов с длинами волн 1070–1100 нм предлагается ввести в активную область квантоворазмерной лазерной InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры барьерные слои GaAsP, компенсирующие повышенные механические напряжения. Это позволит значительно улучшить люминесцентные характеристики гетероструктур и изменить условия для генерации дислокаций несоответствия. Появляется возможность получения длинноволновой генерации в районе 1100 нм за счет увеличения толщин квантовых ям и мольной доли InAs в них. Изготовленные лазерные диоды с длиной волны 1095–1100 нм имели низкие пороговые токи, большую выходную мощность и высокую надежность.