Полупроводниковый дисковый лазер с длиной волны излучения 780 нм на гетероструктуре AlxGa1– xAs/AlyGa1– yAs, выращенной методом MOCVD, с оптической накачкой и накачкой электронным пучком

Исследован импульсный полупроводниковый дисковый лазер на структуре Al_xGa_1–xAs/Al_yG_a1–yAs с резонанснопериодическим усилением и встроенным брэгговским зеркалом, излучающий на длине волны вблизи 780 нм. Приведены характеристики лазера как при накачке электронным пучком, так и при оптической накачке излучением лазерного диода с длиной волны 450 нм. В случае накачки электронным пучком достигнута пиковая мощность 4.4 Вт при дифференциальном КПД свыше 10%, тогда как при оптической накачке мощность составила 0.2 Вт при дифференциальном КПД 2.2% и примерно одинаковых параметрах резонатора. Обсуждаются возможные причины более низких мощностей и КПД при оптической накачке.