|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 9, страницы 809–814
(Mi qe2296)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Лазеры
Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs
А. П. Богатовa, А. Е. Дракинa, С. А. Плисюкb, А. А. Стратонниковb, М. Ш. Кобяковаc, А. В. Зубановc, А. А. Мармалюкc, А. А. Падалицаc a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация:
Показано, что при средней выходной мощности 60 мВт спектральная плотность низкочастотных флуктуаций в одномодовых полупроводниковых лазерах находится в диапазоне 6 × 10-17–10-15 Вт2/Гц. Этот уровень флуктуаций обусловлен наличием подпороговых продольных мод и переключением генерирации между ними, что является причиной появления в их спектре значительной 1/f-компоненты.
Поступила в редакцию: 17.07.2002
Образец цитирования:
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 809–814 [Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2296 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i9/p809
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 309 | PDF полного текста: | 122 | Первая страница: | 1 |
|