Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 9, страницы 809–814 (Mi qe2296)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Лазеры

Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs

А. П. Богатовa, А. Е. Дракинa, С. А. Плисюкb, А. А. Стратонниковb, М. Ш. Кобяковаc, А. В. Зубановc, А. А. Мармалюкc, А. А. Падалицаc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация: Показано, что при средней выходной мощности 60 мВт спектральная плотность низкочастотных флуктуаций в одномодовых полупроводниковых лазерах находится в диапазоне 6 × 10-17–10-15 Вт2/Гц. Этот уровень флуктуаций обусловлен наличием подпороговых продольных мод и переключением генерирации между ними, что является причиной появления в их спектре значительной 1/f-компоненты.
Поступила в редакцию: 17.07.2002
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 9, Pages 809–814
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n09ABEH002296
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Mi


Образец цитирования: А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 809–814 [Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2296
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i9/p809
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:309
    PDF полного текста:122
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024