Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 133

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2021, том 51, номер 2, страницы 133–136 (Mi qe17399)

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом

Н. А. Волков^a, А. Ю. Андреев^a, И. В. Яроцкая^a, Ю. Л. Рябоштан^a, В. Н. Светогоров^a, М. А. Ладугин^a, А. А. Падалица^a, А. А. Мармалюк^ab, С. О. Слипченко^c, А. В. Лютецкий^c, Д. А. Веселов^c, Н. А. Пихтин^c

^a ООО "Сигм Плюс", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, г. С.-Петербург

PDF полного текста (584 kB) Список цитирования (5)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Изучены полупроводниковые лазеры на основе гетероструктур AlGaInAs/InP с сильно асимметричным волноводом. Показано, что применение такого волновода при одновременном увеличении энергетической глубины квантовой ямы обеспечивает условия для достижения повышенной мощности излучения. Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры на основе сильно асимметричного волновода с полосковым контактом шириной 100 мкм продемонстрировали выходную оптическую мощность 5 Вт (ток накачки 11.5 А) в непрерывном и 19 Вт (100 А) в импульсном (100 нс, 1 кГц) режимах работы при комнатной температуре на длине волны генерации 1450 – 1500 нм. Проведено сравнение полученных данных с выходными характеристиками лазеров на основе симметричного волновода.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер, гетероструктура, AlGaInAs/InP, асимметричный волновод.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации	02.а03.21.0005
Работа выполнена при частичной поддержке программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ (договор № 02.а03.21.0005).

Поступила в редакцию: 11.11.2020

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2021, Volume 51, Issue 2, Pages 133–136
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL17480

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. А. Волков, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Ю. Л. Рябоштан, В. Н. Светогоров, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, “Полупроводниковые AlGaInAs/InP-лазеры (λ = 1450 – 1500 нм) с сильно асимметричным волноводом”, Квантовая электроника, 51:2 (2021), 133–136 [Quantum Electron., 51:2 (2021), 133–136]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe17399

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v51/i2/p133

Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы