М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291–293 [Quantum Electron., 47:4 (2017), 291

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2017, том 47, номер 4, страницы 291–293 (Mi qe16600)

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Письма

Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%

М. А. Ладугин^a, А. А. Мармалюк^ab, А. А. Падалица^a, Т. А. Багаев^a, А. Ю. Андреев^a, К. Ю. Телегин^a, А. В. Лобинцов^a, Е. И. Давыдова^a, С. М. Сапожников^a, А. И. Данилов^a, А. В. Подкопаев^a, Е. Б. Иванова^a, В. А. Симаков^a

^a АО "НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"

PDF полного текста (462 kB) Список цитирования (11)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Представлены результаты разработки и создания линеек лазерных диодов (λ = 800 – 810 нм) на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с высоким коэффициентом полезного действия. Повышение внутренней квантовой и внешней дифференциальной эффективности, снижение рабочего напряжения и последовательного сопротивления позволили в совокупности улучшить выходные параметры полупроводникового излучателя, работающего в квазинепрерывном режиме накачки. Выходная мощность для линеек лазерных диодов с поперечной длиной (протяженностью) 5 мм достигала 210 Вт, а КПД был ~70 %.

Ключевые слова: линейки лазерных диодов, КПД, квантоворазмерные гетероструктуры, МОС-гидридная эпитаксия, AlGaAs/GaAs.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена при частичной поддержке Программы повышения конкурентоспособности НИЯУ МИФИ.

Поступила в редакцию: 17.03.2017

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2017, Volume 47, Issue 4, Pages 291–293
DOI: https://doi.org/10.1070/QEL16365

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70%”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291–293 [Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe16600

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v47/i4/p291

Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	1361
PDF полного текста:	138
Список литературы:	40
Первая страница:	40

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы