Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 14, страницы 66–71 (Mi pjtf6360)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии

М. А. Сурнинаa, Р. Х. Акчуринa, А. А. Мармалюкbc, Т. А. Багаевc, А. Л. Сизовd

a Институт тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
c ООО "Сигм Плюс", г. Москва
d Научно-производственное объединение „Орион", Москва
PDF полного текста (363 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Представлены результаты формирования квантовых точек (КТ) InAs на подложках GaAs (100) капельным методом с использованием в качестве прекурсоров триметилиндия (ТМIn) и арсина (AsH$_{3}$). Процессы роста осуществляли при температурах 230–400$^\circ$C в реакторе установки МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) горизонтального типа с использованием высокочистого водорода в качестве газа-носителя. Приведены данные по влиянию температуры процесса на геометрические размеры и плотность массива КТ и результаты исследования низкотемпературной фотолюминесценции полученных образцов.
Поступила в редакцию: 04.03.2016
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2016, Volume 42, Issue 7, Pages 747–749
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785016070294
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Сурнина, Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк, Т. А. Багаев, А. Л. Сизов, “Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 66–71; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 747–749
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SurAkcMar16}
\by М.~А.~Сурнина, Р.~Х.~Акчурин, А.~А.~Мармалюк, Т.~А.~Багаев, А.~Л.~Сизов
\paper Квантовые точки InAs/GaAs, выращенные капельным методом в условиях мос-гидридной эпитаксии
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2016
\vol 42
\issue 14
\pages 66--71
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6360}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368267}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2016
\vol 42
\issue 7
\pages 747--749
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785016070294}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6360
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i14/p66
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024