Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 8, страницы 667–671 (Mi qe18322)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Применение лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs

Н. В. Гультиков^a, К. Ю. Телегин^a, А. Ю. Андреев^a, Л. И. Шестак^b, В. А. Панарин^b, М. Ю. Старынин^b, А. А. Мармалюк^a, М. А. Ладугин^a

^a ООО "Сигм Плюс", Россия, 117342 Москва
^b ООО НПП "Инжект", Россия, 410033 Саратов

PDF полного текста (548 kB) Первая страница Список цитирования (1)

Список литературы:

PDF

HTML

Аннотация: Представлены теоретические и экспериментальные результаты сравнения мощных лазерных линеек спектрального диапазона 800 – 810 нм, изготовленных на основе гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs и GaAsP/GaInP. Лучшие результаты были продемонстрированы для линеек на основе гетероструктур GaAsP/GaInP. Максимальные значения выходной оптической мощности лазерных линеек длиной 1 см в квазинепрерывном режиме накачки достигали 370 – 380 Вт. Обсуждается возможная причина различия выходных мощностей линеек на основе исследуемых систем материалов и приведены способы дальнейшего увеличения мощности излучения.

Ключевые слова: мощные линейки лазерных диодов, безалюминиевая гетероструктура.

Финансовая поддержка	Номер гранта
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации	МД-3928.2022.1.2
Данная работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ для молодых ученых-докторов наук МД-3928.2022.1.2.

Поступила в редакцию: 08.05.2023
Исправленный вариант: 22.07.2023

Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 12, Pages S1391–S1397
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623602224

Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Н. В. Гультиков, К. Ю. Телегин, А. Ю. Андреев, Л. И. Шестак, В. А. Панарин, М. Ю. Старынин, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, “Мощные линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 667–671 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1391–S1397]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe18322

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v53/i8/p667

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы