Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723–726 [Quantum Electron., 39:8 (2009), 723

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2009, том 39, номер 8, страницы 723–726 (Mi qe14181)

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Лазеры

Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм

Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский

ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва

PDF полного текста (144 kB) Список цитирования (14)

Аннотация: Исследованы тройные вертикально-интегрированные лазеры на основе гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии в едином эпитаксиальном процессе. Типичный наклон ватт-амперной характеристики для тройного лазерного диода составил 2.6 Вт/А. Представленные частотные характеристики и температурные зависимости оптической мощности от тока накачки продемонстрировали хорошую однородность выращенных гетероструктур. Лазерные диоды, изготовленные на основе тройной лазерной гетероструктуры (ширина полоскового контакта 200 мкм, длина резонатора 1 мм) и излучающие на длине волны 0.9 мкм, позволили достигнуть в импульсном режиме мощности излучения 80 Вт при токе инжекции 40 А.

Поступила в редакцию: 20.02.2009
Исправленный вариант: 21.05.2009

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2009, Volume 39, Issue 8, Pages 723–726
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2009v039n08ABEH014181

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Jf, 42.60.Lh

Образец цитирования: Е. И. Давыдова, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. В. Кричевский, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, А. В. Сухарев, М. Б. Успенский, “Мощные импульсные лазерные диоды на основе тройных интегрированных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs, излучающие на длине волны 0.9 мкм”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 723–726 [Quantum Electron., 39:8 (2009), 723–726]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe14181

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v39/i8/p723

Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы