|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
1. |
П. Г. Елисеев, “Н. Г. Басов и ранние работы по полупроводниковым лазерам в ФИАНе”, Квантовая электроника, 42:12 (2012), 1073–1080 [P. G. Eliseev, “N. G. Basov and early works on semiconductor lasers at P. N. Lebedev Physics Institute”, Quantum Electron., 42:12 (2012), 1073–1080 ] |
1
|
|
2009 |
2. |
П. Г. Елисеев, А. Уханов, А. Штинц, К. Д. Маллой, “Электрические свойства лазерных InAs/InGaAs-гетероструктур на основе квантовых точек InAs: пороговый эффект”, Квантовая электроника, 39:6 (2009), 501–504 [P. G. Eliseev, A. Ukhanov, A. Shtints, K. J. Malloy, “Electrical properties of InAs/InGaAs quantum-dot laser heterostructures: A threshold effect”, Quantum Electron., 39:6 (2009), 501–504 ] |
2
|
|
2006 |
3. |
П. Г. Елисеев, “К расчету гирофактора в полупроводниковом кольцевом лазере”, Квантовая электроника, 36:8 (2006), 738–740 [P. G. Eliseev, “On the calculation of the gyro-factor in a semiconductor ring laser”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 738–740 ] |
8
|
|
2005 |
4. |
П. Г. Елисеев, “Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. II. Нелинейное взаимодействие мод”, Квантовая электроника, 35:9 (2005), 791–794 [P. G. Eliseev, “Spectral perturbations in a semiconductor laser: II. Nonlinear interaction of modes”, Quantum Electron., 35:9 (2005), 791–794 ] |
8
|
5. |
П. Г. Елисеев, Ч. Лиу, Х. Као, М. А. Осинский, “Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод”, Квантовая электроника, 35:9 (2005), 787–790 [P. G. Eliseev, Ch. Liu, H. Cao, M. A. Osinski, “Spectral perturbations in a semiconductor laser: I. Anomalous splitting in the mode-beating spectrum”, Quantum Electron., 35:9 (2005), 787–790 ] |
1
|
|
2004 |
6. |
П. Г. Елисеев, Дж. Ли, М. А. Осинский, “Электрооптические свойства излучающих в УФ диапазоне InGaN-гетероструктур с учетом проводимости, наведенной инжекцией”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1127–1132 [P. G. Eliseev, J. Lee, M. A. Osinski, “Electro-optical properties of UV-emitting InGaN heterostructures considering injection-induced conductivity”, Quantum Electron., 34:12 (2004), 1127–1132 ] |
2
|
|
2002 |
7. |
П. Г. Елисеев, “Полупроводниковые лазеры – от гомопереходов до квантовых точек”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1085–1098 [P. G. Eliseev, “Semiconductor lasers: from homojunctions to quantum dots”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1085–1098 ] |
5
|
|
2001 |
8. |
П. Г. Елисеев, С. В. Гастев, А. Коизуми, Ю. Фудживара, Я. Такеда, “Вынужденное излучение GaAs:Er,O на длине волны 1538 нм”, Квантовая электроника, 31:11 (2001), 962–964 [P. G. Eliseev, S. V. Gastev, A. Koizumi, Y. Fujiwara, Y. Takeda, “Stimulated emission from GaAs:Er, O at 1538 nm”, Quantum Electron., 31:11 (2001), 962–964 ] |
2
|
|
2000 |
9. |
П. Г. Елисеев, Х. Ли, Г. Т. Лиу, А. Штинц, Т. С. Ньювел, Л. Ф. Лестер, К. Д. Меллой, “Оптическое усиление в структурах c квантовыми точками на основе InAs/InGaAs. Эксперименты и теоретическая модель”, Квантовая электроника, 30:8 (2000), 664–668 [P. G. Eliseev, H. Li, G. T. Liu, A. Shtints, T. C. Newell, L. E. Lester, K. J. Malloy, “Optical gain in InAs/InGaAs quantum-dot structures: Experiments and theoretical model”, Quantum Electron., 30:8 (2000), 664–668 ] |
10
|
10. |
П. Г. Елисеев, “Анализ поглощения и усиления в униполярной полупроводниковой структуре с квантовыми точками”, Квантовая электроника, 30:2 (2000), 152–157 [P. G. Eliseev, “Analysis of absorption and amplification in a unipolar semiconductor structure with quantum dots”, Quantum Electron., 30:2 (2000), 152–157 ] |
2
|
|
1998 |
11. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Высокотемпературные свойства светодиодов на основе InGaN”, Квантовая электроника, 25:11 (1998), 1013–1016 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “High-temperature properties of InGaN light-emitting diodes”, Quantum Electron., 28:11 (1998), 987–990 ] |
3
|
12. |
П. Г. Елисеев, И. В. Акимова, “Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 206–210 [P. G. Eliseev, I. V. Akimova, “Emission from quantum-well InGaAs structures”, Quantum Electron., 28:3 (1998), 198–202 ] |
1
|
|
1997 |
13. |
П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, “Полупроводниковые лазеры”, Квантовая электроника, 24:12 (1997), 1067–1079 [P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, “Semiconductor lasers”, Quantum Electron., 27:12 (1997), 1035–1047 ] |
5
|
|
1996 |
14. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, П. Перлин, “Спонтанное излучение квантоворазмерной гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN при большом токе накачки”, Квантовая электроника, 23:12 (1996), 1069–1071 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, M. A. Osinski, P. Perlin, “Spontaneous emission from a quantum-well GaN/InGaN/AlGaN heterostructure at high pump currents”, Quantum Electron., 26:12 (1996), 1039–1041 ] |
7
|
15. |
П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды”, Квантовая электроника, 23:4 (1996), 307–310 [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Self-distribution of the current in laser diodes and its possible use for reducing the optical nonlinearity of the active medium”, Quantum Electron., 26:4 (1996), 299–302 ] |
5
|
|
1995 |
16. |
П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, “Оптическая пpочность зеpкальных гpаней в полупpоводниковом лазеpе на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs в импульсном pежиме”, Квантовая электроника, 22:9 (1995), 895–896 [P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, “Optical strength of the mirror faces of a pulsed InGaAs/GaAs/GaAIAs semiconductor laser”, Quantum Electron., 25:9 (1995), 863–864 ] |
2
|
17. |
П. Г. Елисеев, Г. Байстер, А. Е. Дракин, И. В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан, “Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем”, Квантовая электроника, 22:4 (1995), 309–320 [P. G. Eliseev, G. Beister, A. E. Drakin, I. V. Akimova, G. Erbert, J. Maege, J. Sebastian, “Power hysteresis and waveguide bistability of stripe quantum-well InGaAsGaAsGaAIAs heterolasers with a strained active layer”, Quantum Electron., 25:4 (1995), 291–301 ] |
1
|
18. |
П. Г. Елисеев, Ю. Меге, Г. Эрберт, Г. Байстер, “Пороговый перепад дифференциального сопротивления в полосковых квантово-размерных лазерах на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 22:2 (1995), 108–110 [P. G. Eliseev, J. Maege, G. Erbert, G. Beister, “Threshold drop of the differential resistance of stripe quantum-well InGaAsGaAIAs lasers”, Quantum Electron., 25:2 (1995), 99–101 ] |
3
|
|
1994 |
19. |
И. В. Акимова, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. И. Швейкин, “Спектральные исследования излучения напряженных квантово-размерных гетероструктур на основе InGaAs/GaAlAs”, Квантовая электроника, 21:5 (1994), 405–408 [I. V. Akimova, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. I. Shveikin, “Spectral investigation of the radiation emitted by strained InGaAs/GaAlAs quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 24:5 (1994), 373–376 ] |
|
1993 |
20. |
П. Г. Елисеев, П. В. Карга, “Анализ электронного ограничения на полупроводниковой периодической структуре”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 846–850 [P. G. Eliseev, P. V. Karga, “Analysis of electron confinement by a periodic semiconductor structure”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 733–736 ] |
21. |
П. Г. Елисеев, Р. Ф. Набиев, А. И. Онищенко, “Теоретический анализ профилированной квантово-размерной лазерной структуры”, Квантовая электроника, 20:1 (1993), 31–38 [P. G. Eliseev, R. F. Nabiev, A. I. Onishchenko, “Theoretical analysis of profiled quantum-well laser structures”, Quantum Electron., 23:1 (1993), 26–32 ] |
|
1992 |
22. |
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960 ] |
4
|
23. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Захарьев, “О задачах по профилированным “квантовым” ямам и барьерам для оптоэлектронных применений”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1014–1017 [P. G. Eliseev, B. N. Zakhar'ev, “Problems involved in the profiling of quantum wells and barriers for optoelectronic applications”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 944–947 ] |
24. |
By Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, М. В. Цоцория, “Интерферометрическая модуляция в оптическом усилителе на основе InGaAsP/InP-гетероструктуры”, Квантовая электроника, 19:7 (1992), 674–676 [Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, M. V. Tsotsorya, “Interferometric modulation in an optical amplifier based on an InGaAsP/lnP heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 22:7 (1992), 624–626 ] |
|
1990 |
25. |
В. И. Барышев, А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, М. П. Рахвальский, “Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм”, Квантовая электроника, 17:9 (1990), 1147–1150 [V. I. Baryshev, A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, M. P. Rakhval'skiǐ, “Radiative characteristics of buried mesa stripe heterolasers emitting at 1.5 μm”, Sov J Quantum Electron, 20:9 (1990), 1057–1059 ] |
1
|
|
1989 |
26. |
А. П. Богатов, Н. А. Вагнер, Е. И. Давыдова, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, О. М. Никитина, Г. Т. Пак, “Инжекционный лазер с волноводной линзой”, Квантовая электроника, 16:11 (1989), 2173–2176 [A. P. Bogatov, N. A. Vagner, E. I. Davydova, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, O. M. Nikitina, G. T. Pak, “Injection laser with a waveguide lens”, Sov J Quantum Electron, 19:11 (1989), 1397–1399 ] |
27. |
П. Г. Елисеев, И. С. Цимберова, “Безызлучательные потери в гетероструктурах InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2074–2077 [P. G. Eliseev, I. S. Tsimberova, “Nonradiative losses in InGaAsP/InP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1334–1336 ] |
28. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, М. П. Рахвальский, А. В. Хайдаров, “Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 16:9 (1989), 1765–1769 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, M. P. Rakhval'skiǐ, A. V. Khaǐdarov, “Investigation of the transverse structure of the radiation field of an injection laser using an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 19:9 (1989), 1135–1137 ] |
1
|
29. |
Буй Зуи, Ву Ван Лык, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Е. Т. Неделин, Нгуен Тхи Тхань Фыонг, Нгуен Чыонг Тхонг Ньят, “Одномодовый лазерный усилитель в диапазоне 1,3 мкм на основе зарощенной полосковой гетероструктуры”, Квантовая электроника, 16:8 (1989), 1606–1608 [Bui Huy, Vu Van Luc, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, E. T. Nedelin, Nguyên Thi Thanh Truong, Nguyên Chyong Thong Nhat, “Single-mode laser amplifier operating in the 1.3 μm range and using a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 19:8 (1989), 1034–1036 ] |
30. |
И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989), 457–462 [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306 ] |
|
1988 |
31. |
Ю. Фрам, П. Г. Елисеев, “Лазерные диодные модули”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2245–2246 [J. Frahm, P. G. Eliseev, “Laser diode modules”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1405–1406 ] |
32. |
By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, М. В. Цоцория, “Электрический отклик в InGaAsP/InP-гетеролазерах”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2227–2230 [Vu Van Luс, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, M. V. Tsotsorya, “Electrical response of InGaAsP/InP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1395–1397 ] |
33. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова, “Ширина линии отдельной продольной моды AlGaAs-гетеролазера”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2223–2226 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, G. T. Pak, T. V. Petrakova, “Line width of a single longitudinal mode emitted by an AlGaAs heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1392–1395 ] |
34. |
А. Л. Вирро, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Я. К. Фридентал, Ю. Э. Халлер, “Инжекционные лазеры на основе системы AlGaAsSb для длины волны 1,6 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2208–2209 [A. L. Virro, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, Ya. K. Fridental, Yu. É. Khaller, “Injection lasers based on the AlGaAsSb system emitting at 1,6 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1383–1384 ] |
35. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2171–2172 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363 ] |
40
|
36. |
Э. М. Беленов, П. Г. Елисеев, А. Н. Ораевский, В. И. Романенко, А. Г. Соболев, А. В. Усков, “Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1595–1601 [È. M. Belenov, P. G. Eliseev, A. N. Oraevsky, V. I. Romanenko, A. G. Sobolev, A. V. Uskov, “Analysis of optical amplification due to tunneling of electrons in a quantum-well semiconductor heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 995–999 ] |
1
|
37. |
А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, “Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1552–1554 [A. P. Bogatov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. A. Luk'yanov, “Width and profile of the emission line of a cw InGaAsP/InP laser with a buried stripe heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 18:8 (1988), 971–972 ] |
2
|
38. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, “Влияние температуры на диаграмму направленности InGaAsP-гетеролазеров”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 253–258 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, “Influence of temperature on the angular distribution of radiation emitted by InGaAsP heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 160–163 ] |
1
|
|
1987 |
39. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, “Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные
испытания лазеров на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 57:8 (1987), 1570–1574 |
40. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Е. Т. Неделин, В. И. Швейкин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 14:11 (1987), 2201–2202 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, E. T. Nedelin, V. I. Shveǐkin, “Low-threshold InGaAsP/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:11 (1987), 1402–1403 ] |
41. |
П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. М. Сапожников, “Исследование долговечности непрерывных инжекционных лазеров на основе GaAlAs/GaAs”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 892–894 [P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. M. Sapozhnikov, “Investigation of the service life of cw GaAIAs/GaAs injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 566–568 ] |
42. |
A. E. Базаров, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилжанов, Г. Т. Пак, Т. В. Петракова, Т. Н. Пушкина, А. Т. Семенов, “Фазирование генерации в линейках полосковых GaAlAs/GaAs-лазеров с использованием активных направленных ответвителей”, Квантовая электроника, 14:4 (1987), 874–876 [A. E. Bazarov, I. S. Goldobin, P. G. Eliseev, O. A. Kobilzhanov, G. T. Pak, T. V. Petrakova, T. N. Pushkina, A. T. Semenov, “Phase locking of stimulated emission from arrays of stripe GaAIAs/GaAs lasers using active directional couplers”, Sov J Quantum Electron, 17:4 (1987), 551–553 ] |
1
|
43. |
И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 204–205 [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122 ] |
|
1986 |
44. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. А. Кобилджанов, В. Р. Мадгазин, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. В. Хайдаров, “Флуктуации интенсивности одночастотного инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 13:12 (1986), 2414–2423 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. A. Kobildzhanov, V. R. Madgazin, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, A. V. Khaǐdarov, “Fluctuations of the intensity of radiation from a single-frequency injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 16:12 (1986), 1596–1602 ] |
2
|
45. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2119–2120 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397 ] |
2
|
46. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода”, Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1859–1867 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Optical traveling-wave amplifier based on an injection laser diode”, Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1221–1226 ] |
1
|
47. |
П. Г. Елисеев, “Причины и распределение отказов в полупроводниковых лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1749–1769 [P. G. Eliseev, “Causes and distribution of failure of semiconductor lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 16:9 (1986), 1151–1164 ] |
4
|
48. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1610–1616 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anlsotropic deformation on radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. II. Spectral characteristics and discussion”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1051–1055 ] |
4
|
49. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика”, Квантовая электроника, 13:8 (1986), 1603–1609 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Influence of anisotropic deformation on the radiative characteristics of GaInAsP/InP injection lasers. I. Lasing threshold, polarization, and wattampere characteristic”, Sov J Quantum Electron, 16:8 (1986), 1046–1050 ] |
7
|
50. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, И. С. Цимберова, “Излучательные и деградационные характеристики гетероструктур на основе InGaAsP/InP”, Квантовая электроника, 13:7 (1986), 1376–1380 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, I. S. Tsimberova, “Light-emission and degradation characteristics of InGaAsP/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 16:7 (1986), 902–905 ] |
51. |
П. Г. Елисеев, Фам Ван Хой, “Изучение перфорации тонкопленочной фиксирующей среды остросфокусированным излучением GaAlAs/GaAs-лазера”, Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1261–1264 [P. G. Eliseev, Pham Van Hoi, “Study of perforation of a thin-film recording medium by sharply focused GaAlAs/GaAs laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 16:6 (1986), 825–827 ] |
52. |
Н. Г. Басов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, “Полупроводниковые лазеры”, УФН, 148:1 (1986), 35–53 ; N. G. Basov, P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, “Semiconductor lasers”, Phys. Usp., 29:1 (1986), 20–30 |
9
|
|
1985 |
53. |
А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1309–1311 [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870 ] |
26
|
54. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 12:3 (1985), 465–493 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Nonlinear refraction in semiconductor lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 15:3 (1985), 308–325 ] |
6
|
55. |
А. П. Богатов, И. С. Голдобин, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Е. Г. Файнбойм, К. А. Хайретдинов, “Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 12:1 (1985), 162–164 [A. P. Bogatov, I. S. Goldobin, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, E. G. Faǐnboǐm, K. A. Khaǐretdinov, “Continuous-wave single-frequency emission from an injection laser in the form of a terraced heterostructure with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 15:1 (1985), 97–99 ] |
|
1984 |
56. |
В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных
гетероструктур
GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984), 551–557 |
57. |
П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Н. Шохуджаев, “Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 11:8 (1984), 1665–1667 [P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, N. Shokhudzhaev, “Reduction of the threshold current of InGaAsP/lnP heterolasers by unidirectional compression”, Sov J Quantum Electron, 14:8 (1984), 1120–1121 ] |
11
|
58. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441 ] |
3
|
59. |
М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633 [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432 ] |
1
|
60. |
Д. М. Анненков, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, Ю. Ф. Федоров, К. А. Хайретдинов, “Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц”, Квантовая электроника, 11:2 (1984), 231–232 [D. M. Annenkov, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, Yu. F. Fedorov, K. A. Khaǐretdinov, “Spectrally matched modulation, at frequencies up to 2 GHz, of injection laser radiation in a traveling-wave amplifier”, Sov J Quantum Electron, 14:2 (1984), 163–164 ] |
3
|
61. |
П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 11:1 (1984), 178–181 [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Qualitative analysis of the threshold current of quantum-size semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:1 (1984), 119–121 ] |
9
|
|
1983 |
62. |
П. Г. Елисеев, А. А. Кочетков, “Ускоренная оценка долговечности инжекционных лазеров и передающих модулей”, Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2118–2120 [P. G. Eliseev, A. A. Kochetkov, “Accelerated service life tests on injection lasers and transmitter modules”, Sov J Quantum Electron, 13:10 (1983), 1415–1417 ] |
2
|
63. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 10:9 (1983), 1851–1865 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Interaction of modes and self-stabilization of singlefrequency emission from injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:9 (1983), 1221–1229 ] |
29
|
64. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Вынужденное рассеяние излучения на волнах населенности возбужденного состояния”, Квантовая электроника, 10:4 (1983), 865–867 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Stimulated scattering of light by waves representing excited-state populations”, Sov J Quantum Electron, 13:4 (1983), 540–541 ] |
1
|
65. |
В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. С. Курленков, И. А. Скопин, “Ввод в волоконные световоды излучения заращенных мезаполосковых инжекционных лазеров, работающих
в диапазоне 1,2–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 10:3 (1983), 633–635 [V. P. Duraev, P. G. Eliseev, S. S. Kurlenkov, I. A. Skopin, “Optical fiber coupling of 1.2–1.6 μ radiation emitted from buried mesastripe injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 13:3 (1983), 382–384 ] |
|
1982 |
66. |
Л. П. Бычкова, О. И. Даварашвили, П. Г. Елисеев, М. И. Сагинури, Р. И. Чиковани, А. П. Шотов, “Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на
основе Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se”, Квантовая электроника, 9:11 (1982), 2140–2150 [L. P. Bychkova, O. I. Davarashvili, P. G. Eliseev, M. I. Saginuri, R. I. Chikovani, A. P. Shotov, “Analysis of factors influencing the threshold current of Pb<sub>1–x</sub>Sn<sub>x</sub>Se injection heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 12:11 (1982), 1391–1397 ] |
67. |
Л. М. Долгинов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, “О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1902–1904 [L. M. Dolginov, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, “Temperature dependences of the emission characteristics of GaInPAs/InP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1237–1238 ] |
68. |
Ву Ван Лук, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, “Электрическая диагностика режимов усилителя-монитора на основе лазерного диода”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1851–1853 [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, “Electrical diagnostics of the operating conditions in a monitoring amplifier based on a laser diode”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1194–1196 ] |
3
|
69. |
By Ван Лык, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, О. Г. Охотников, С. Н. Соколов, “Оптоэлектронное считывание с помощью инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1825–1830 [Vũ Văn Luc, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, O. G. Okhotnikov, S. N. Sokolov, “Optoelectronic readout with an injection laser”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1175–1178 ] |
1
|
70. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1749 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127 ] |
71. |
А. П. Богатов, М. Г. Васильев, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, Н. П. Черноусов, В. И. Швейкин, “Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1504–1506 [A. P. Bogatov, M. G. Vasil'ev, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, N. P. Chernousov, V. I. Shveǐkin, “Tunable cw emission in the 1.3/J range from a GaInPAs/InP heterolaser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 963–965 ] |
|
1981 |
72. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP heterojunction lasers buried in InP or GalnPAs”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1208–1209 ] |
2
|
73. |
В. В. Безотосный, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Е. Т. Неделин, Б. Н. Свердлов, Г. В. Шепекина, И. Н. Шишкин, “Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987 [V. V. Bezotosnyi, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, E. T. Nedelin, B. N. Sverdlov, G. V. Shepekina, I. N. Shishkin, “Service life of GalnPAs/lnP heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1201–1202 ] |
1
|
74. |
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним
дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1957–1961 [H.-J. Bachert, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Radiofrequency spectra of mode beats and fluctuations of the intensity of radiation emitted by an injection laser with an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 11:9 (1981), 1184–1187 ] |
3
|
75. |
С. А. Алавердян, П. Г. Елисеев, H. Д. Жуков, А. И. Попов, И. А. Скопин, В. И. Швейкин, “Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой
на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 8:7 (1981), 1565–1567 [S. A. Alaverdyan, P. G. Eliseev, N. D. Zhukov, A. I. Popov, I. A. Skopin, V. I. Shveǐkin, “Radiative characteristics of an injection laser with a zigzag mesastripe AlGaAs–GaAs heterostructure”, Sov J Quantum Electron, 11:7 (1981), 941–942 ] |
76. |
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов, “Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным
резонатором”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 853–859 [V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, M. S. Soskin, V. B. Taranenko, K. A. Khaǐretdinov, “Bistable operation and spectral tuning of an injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 510–513 ] |
5
|
77. |
П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории стимулированного скольжения дислокаций в лазерных полупроводниковых кристаллах в условиях интенсивной накачки”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 206–209 [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluektov, Yu. M. Popov, “Theory of stimulated glide of dislocations in laser semiconductor crystals under strong pumping conditions”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 123–125 ] |
78. |
В. И. Бородулин, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, В. И. Швейкин, “Характеристики канального инжекционного гетеролазера”, Квантовая электроника, 8:1 (1981), 193–196 [V. I. Borodulin, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. B. Sergeev, I. A. Skopin, V. I. Shveǐkin, “Characteristics of a channel injection heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 113–115 ] |
1
|
|
1980 |
79. |
В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко, К. А. Хайретдинов, “Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором”, Квантовая электроника, 7:12 (1980), 2642–2644 [V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, M. S. Soskin, V. B. Taranenko, K. A. Khaǐretdinov, “Optical heterodyning of radiation from an injection laser with an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:12 (1980), 1546–1547 ] |
4
|
80. |
П. Г. Елисеев, М. Ш. Кобякова, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, С. Н. Соколов, “Инжекционный гетеролазер мезаполосковой конструкции с теплоотводом через подложку”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2504–2506 [P. G. Eliseev, M. Sh. Kobyakova, G. T. Pak, V. V. Popovichev, S. N. Sokolov, “Mesastripe injection heterolaser with heat removal through the substrate”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1464–1465 ] |
81. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Г. Т. Микаелян, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный $GaInPAs/InP$-гетеролазер с расходимостью излучения $6-7^\circ$, работающий на неволноводных модах”, Квантовая электроника, 7:11 (1980), 2487–2488 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, G. T. Mikayelyan, B. N. Sverdlov, “Injection $GaInPAs/InP$ heterojunction laser with $6-7^\circ$ output divergence, emitting nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 10:11 (1980), 1450–1451 ] |
82. |
Ю. А. Васильев, Ю. В. Дмитриев, П. Г. Елисеев, И. А. Скопин, В. И. Стафеев, “Быстродействующий фотодиод на основе поверхностно-барьерной структуры $Au-nn^+-GaAs$”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2218–2221 [Yu. A. Vasil'ev, Yu. V. Dmitriev, P. G. Eliseev, I. A. Skopin, V. I. Stafeev, “Fast-response photodiode based on a surface-barrier $Au-nn^+-GaAs$ structure”, Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1288–1289 ] |
83. |
П. Г. Елисеев, В. Н. Морозов, С. А. Пашко, А. Б. Сергеев, И. А. Скопин, “Уширение спектральных мод полупроводникового лазера в режиме пульсаций интенсивности излучения”, Квантовая электроника, 7:10 (1980), 2197–2201 [P. G. Eliseev, V. N. Morozov, S. A. Pashko, A. B. Sergeev, I. A. Skopin, “Broadening of spectral modes of a semiconductor laser in the case of pulsations of the emission intensity”, Sov J Quantum Electron, 10:10 (1980), 1273–1275 ] |
1
|
84. |
В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [V. V. Bezotosnyi, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, G. V. Shepekina, “Buried mesastripe cw room-temperature $GaInPAs/InP$ heterojunction lasers in the $1,24-1,28\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148 ] |
2
|
85. |
П. Г. Елисеев, В. Н. Лавров, “Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор)”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1845–1868 [P. G. Eliseev, V. N. Lavrov, “Use of injection heterojunction lasers in fiber-optic communications systems (review)”, Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1065–1078 ] |
1
|
86. |
П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Свойства планарных полосковых гетеролазеров. II. Анализ электрических характеристик”, Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1670–1676 [P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Properties of planar stripe-geometry heterojunction lasers. II. Analysis of electrical characteristics”, Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 966–969 ] |
5
|
87. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Свойства планарных полосковых гетеролазеров. I. Нелинейные и разрывные ватт-амперные характеристики”, Квантовая электроника, 7:8 (1980), 1664–1669 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Properties of planar stripe-geometry heterojunction lasers. I. Nonlinear and discontinuous current-power characteristics”, Sov J Quantum Electron, 10:8 (1980), 963–966 ] |
1
|
88. |
П. Г. Елисеев, М. А. Осинский, “Применение диэлектрической модели Эпштейна к описанию мод планарных полосковых гетеролазеров”, Квантовая электроника, 7:7 (1980), 1407–1416 [P. G. Eliseev, M. A. Osinski, “Use of the Epstein dielectric model to describe modes of planar stripe-geometry heterojunction lasers”, Sov J Quantum Electron, 10:7 (1980), 811–816 ] |
1
|
89. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Ю. М. Попов, “Инжекционный лазер с неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 7:5 (1980), 1089–1092 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, Yu. M. Popov, “Injection laser with an unstable resonator”, Sov J Quantum Electron, 10:5 (1980), 620–622 ] |
35
|
90. |
С. А. Алавердян, В. Ю. Баженов, А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, М. П. Рахвальский, К. А. Хайретдинов, “О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 123–127 [S. A. Alaverdyan, V. Yu. Bazhenov, A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, M. P. Rakhval'skiǐ, K. A. Khaǐretdinov, “Stepped shape of radiation pulses emitted by double-heterostructure GaAs–AlGaAs injection lasers with stripe contacts”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 68–71 ] |
2
|
91. |
Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980), 91–96 [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53 ] |
9
|
|
1979 |
92. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, Г. Т. Микаелян, Г. Г. Харисов, “Уменьшение расходимости излучения инжекционного лазера путем возбуждения неволноводных мод”, Квантовая электроника, 6:12 (1979), 2639–2641 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, G. T. Mikayelyan, G. G. Kharisov, “Reduction of the divergence of injection laser radiation by excitation of nonwaveguide modes”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1567–1568] |
93. |
Р. Алтынбаев, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Г. Ли, Н. Шохуджаев, “Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров”, Квантовая электроника, 6:12 (1979), 2617–2618 [R. Altynbaev, P. G. Eliseev, I. Ismailov, G. Li, N. Shokhudzhaev, “Diode simulators of solid-state lasers”, Sov J Quantum Electron, 9:12 (1979), 1550–1551] |
94. |
П. Г. Елисеев, “Интерпретация эффекта частотной автомодуляции излучения полупроводникового лазера”, Квантовая электроника, 6:10 (1979), 2243–2245 [P. G. Eliseev, “Interpretation of frequency self-modulation of semiconductor laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 9:10 (1979), 1316–1317] |
3
|
95. |
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, А. И. Петров, К. А. Хайретдинов, “Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора”, Квантовая электроника, 6:6 (1979), 1264–1270 [A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, A. I. Petrov, K. A. Khaǐretdinov, “Single-frequency cw injection heterolaser tunable by an external dispersive resonator”, Sov J Quantum Electron, 9:6 (1979), 743–747] |
5
|
96. |
П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, Ю. М. Попов, “К теории резонансного дефектообразующего захвата электронов в лазерных кристаллах”, Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1057–1061 [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluektov, Yu. M. Popov, “Theory of defect-forming resonance electron capture in laser crystals”, Sov J Quantum Electron, 9:5 (1979), 619–621] |
|
1978 |
97. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, О. Г. Охотников, Г. Т. Пак, “Гистерезис выходной мощности излучения непрерывных гетеролазеров на основе AlCaAs”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2493–2495 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, O. G. Okhotnikov, G. T. Pak, “Hysteresis of the output radiation power of cw AlGaAs heterolasers”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1408–1409] |
3
|
98. |
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2488–2489 [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405] |
99. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов, Е. Г. Сухов, К. А. Хайретдинов, “Аномальная динамика генерации в полупроводниковом лазере с несимметричной волноводной структурой. II. Теория”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2408–2415 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Yu. M. Popov, E. G. Sukhov, K. A. Khaǐretdinov, “Anomalous stimulated emission kinetics of semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures. II. Theory”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1351–1355] |
1
|
100. |
А. П. Богатов, Ю. В. Гуров, П. Г. Елисеев, К. А. Хайретдинов, “Аномальная динамика генерации в полупроводниковых лазерах с несимметричной волноводной структурой. I. Экспериментальное исследование с помощью внешнего резонатора”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2402–2407 [A. P. Bogatov, Yu. V. Gurov, P. G. Eliseev, K. A. Khaǐretdinov, “Anomalous stimulated emission kinetics of semiconductor lasers with asymmetric waveguide structures. I. Experimental investigation using an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1348–1351] |
1
|
101. |
П. Г. Елисеев, В. Н. Лавров, Ю. М. Попов, “Влияние режима работы инжекционного лазера на эффективность ввода его излучения в волоконный световод”, Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2038–2041 [P. G. Eliseev, V. N. Lavrov, Yu. M. Popov, “Influence of the operation regime of an injection laser on the efficiency of coupling of its radiation into an optical waveguide”, Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1150–1152] |
102. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, А. Н. Лапшин, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 703–704 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, A. N. Lapshin, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “Injection heterolaser based on InGaAsSb four-component solid solution”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 416] |
19
|
103. |
Х.-Ю. Бахерт, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, “Деформация мод в инжекционном лазере из-за самофокусировки и ее связь с нелинейностью
выходной характеристики”, Квантовая электроника, 5:3 (1978), 603–608 [H.-J. Bachert, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, “Mode deformation due to self-focusing in injection lasers and its connection with nonlinearity of the output characteristic”, Sov J Quantum Electron, 8:3 (1978), 346–349] |
11
|
104. |
П. Г. Елисеев, И. Н. Завестовская, И. А. Полуэктов, “О механизме смещения атомов в лазерных кристаллах под действием безызлучательной рекомбинации”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 203–206 [P. G. Eliseev, I. N. Zavestovskaya, I. A. Poluéktov, “Mechanism of the displacement of atoms in laser crystals as a result of nonradiative recombination”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 124–126] |
1
|
|
1977 |
105. |
И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, Д. Ахмедов, П. Г. Елисеев, “Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 4:8 (1977), 1821–1823 [I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, D. Akhmedov, P. G. Eliseev, “Characteristics of n-GaP<sub>x</sub> As<sub>1–x</sub>–pGa<sub>1–y</sub>Al<sub>y</sub>P<sub>x</sub>As<sub>1–x</sub> heterojunction lasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 7:8 (1977), 1039–1040] |
106. |
О. И. Даварашвили, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, И. И. Засавицкий, А. П. Шотов, “Многокомпонентные твердые растворы соединений A<sup>IV</sup>B<sup>VI</sup>”, Квантовая электроника, 4:4 (1977), 904–907 [O. I. Davarashvili, L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, I. I. Zasavitskii, A. P. Shotov, “Multicomponent solid solutions of IV-VI compounds”, Sov J Quantum Electron, 7:4 (1977), 508–510] |
2
|
|
1976 |
107. |
А. П. Богатов, Х.-Ю. Бахерт, П. Г. Елисеев, А. Клер, М. А. Манько, “Излучательные характеристики инжекционного лазера с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 3:8 (1976), 1819–1821 [A. P. Bogatov, H.-J. Bachert, P. G. Eliseev, A. Kler, M. A. Man'ko, “Radiative characteristics of an injection laser with an external resonator”, Sov J Quantum Electron, 6:8 (1976), 990–991] |
2
|
108. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. В. Мамутин, “О влиянии избыточных носителей тока на диэлектрическую проницаемость GaAs на частоте излучательных переходов в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1609–1611 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, V. V. Mamutin, “Influence of excess carriers on the permittivity of GaAs at the frequency of radiative transitions in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 873–874] |
2
|
109. |
Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, “Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор)”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1381–1393 [L. M. Dolginov, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, “Multicomponent semiconductor solid solutions and their laser applications (review)”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 747–753] |
11
|
110. |
Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [R. Altynbaev, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. Ismailov, N. Shokhudzhaev, “Investigation of Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>As injection heterolasers emitting visible radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579] |
111. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Чапнин, “Люминесценция и лазерный эффект в Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, V. A. Chapnin, “Luminescence and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>”, Sov J Quantum Electron, 6:4 (1976), 507–508] |
5
|
112. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, “Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм”, Квантовая электроника, 3:2 (1976), 465–466 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, M. G. Mil'vidskii, B. N. Sverdlov, “New uncooled injection heterolaser emitting in the 1.5–1.8 μ range”, Sov J Quantum Electron, 6:2 (1976), 257] |
11
|
|
1975 |
113. |
П. Г. Елисеев, В. Г. Ильин, Г. О. Карапетян, В. Я. Лившиц, Г. Д. Негодаев, А. В. Хайдаров, “Применение градиентных световодов в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 2:4 (1975), 848–850 [P. G. Eliseev, V. G. Il'in, G. O. Karapetyan, V. Ya. Livshits, G. D. Negodaev, A. V. Khaidarov, “Use of gradient light guides in semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:4 (1975), 472–473] |
114. |
П. Г. Елисеев, А. В. Хайдаров, “О роли механических напряжений в постепенной деградации светоизлучающих диодов и инжекционных
лазеров”, Квантовая электроника, 2:1 (1975), 127–129 [P. G. Eliseev, A. V. Khaidarov, “Role of mechanical stresses in gradual degradation of light-emitting diodes and injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:1 (1975), 73–74] |
4
|
|
1974 |
115. |
А. П. Богатов, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> и Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub>”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2294–2295 [A. P. Bogatov, L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “Heterojunction lasers made of Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>P<sub>1–y</sub> and Al<sub>x</sub>Ga<sub>1–x</sub>Sb<sub>y</sub>As<sub>1–y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1281] |
66
|
116. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Аномальное взаимодействие спектральных типов колебаний в полупроводниковом лазере”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2286–2288 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Anomalous interaction of spectral modes in a semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1275–1276] |
13
|
117. |
Х. Бахерт, П. Г. Елисеев, М. А. Манько, В. К. Петров, З. Рааб, В. П. Страхов, Чан Минь Тхай, “Исследование пикосекундной структуры и режима ультракоротких импульсов излучения инжекционных
лазеров интерферометрическим методом”, Квантовая электроника, 1:9 (1974), 1988–1993 [H. Bachert, P. G. Eliseev, M. A. Man'ko, V. K. Petrov, S. Raab, V. P. Strakhov, Ch. M. Tsai, “Interferometric investigations of the picosecond structure and conditions for the emission of ultrashort pulses from injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:9 (1975), 1102–1105] |
5
|
118. |
П. Г. Елисеев, И. 3. Пинскер, Ю. Ф. Федоров, “О деградации инжекционных лазеров в процессе работы и под действием быстрых частиц”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1271–1273 [P. G. Eliseev, I. Z. Pinsker, Yu. F. Fedorov, “Degradation of injection lasers during operation and under the influence of fast particles”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 707–708] |
119. |
Д. Аккерман, А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, 3. Рааб, Б. Н. Свердлов, “Инжекционный лазер с дифракционной решеткой в резонаторе”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1145–1149 [D. Akkerman, A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, Z. Raab, B. N. Sverdlov, “Injection laser with a diffraction grating in its resonator”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 626–628] |
2
|
120. |
П. Г. Елисеев, Чан Минь Тхай, “Исследование закономерностей многомодового возбуждения в инжекционных лазерах”, Квантовая электроника, 1:5 (1974), 1138–1144 [P. G. Eliseev, Ch. M. Ts'ai, “Investigation of the relationships governing multimode excitation in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 4:5 (1974), 622–625] |
1
|
121. |
П. Г. Елисеев, А. И. Красильников, А. В. Хайдаров, Г. Г. Харисов, “Управление поляризацией излучения гетеролазера с помощью одностороннего сжатия”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 196–197 [P. G. Eliseev, A. I. Krasil'nikov, A. V. Khaidarov, G. G. Kharisov, “Control of the polarization of heterolaser radiation by uniaxial compression”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 120] |
122. |
П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов, “Влияние СВЧ-модуляции на спектр излучения инжекционного лазера”, Квантовая электроника, 1:1 (1974), 151–154 [P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, K. Ya. Senatorov, “Influence of microwave modulation on the emission spectrum of an injection laser”, Sov J Quantum Electron, 4:1 (1974), 86–87] |
2
|
|
1973 |
123. |
П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, Е. П. Никитин, “Внутренняя модуляция добротности в инжекционных лазерах с односторонним гетеропереходом”, Квантовая электроника, 1973, № 5(17), 116–117 [P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, E. P. Nikitin, “Internal Q switching in single-sided heterojunction injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 433–434] |
1
|
124. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, Л. П. Иванов, А. С. Логгинов, К. Я. Сенаторов, “О кинетике спектра излучения инжекционного лазера и явлениях срыва одномодовой генерации”, Квантовая электроника, 1973, № 5(17), 14–20 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, L. P. Ivanov, A. S. Logginov, K. Ya. Senatorov, “Kinetics of the emission spectrum of an injection laser and collapse of single-mode emission”, Sov J Quantum Electron, 3:5 (1974), 372–375] |
1
|
125. |
П. Г. Елисеев, Н. Н. Шуйкин, “Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры (обзор)”, Квантовая электроника, 1973, № 3(15), 5–26 [P. G. Eliseev, N. N. Shuikin, “Single-mode and single-frequency injection lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 3:3 (1973), 181–192] |
10
|
|
1972 |
126. |
П. Г. Елисеев, “Инжекционные лазеры на гетеропереходах (обзор)”, Квантовая электроника, 1972, № 6(12), 3–28 [P. G. Eliseev, “Heterojunction injection lasers (review)”, Sov J Quantum Electron, 2:6 (1973), 505–519] |
8
|
127. |
П. Г. Елисеев, Д. Н. Морозов, Ю. Ф. Федоров, “О статистическом распределении отказов инжекционных лазеров”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 107 [P. G. Eliseev, D. N. Morozov, Yu. F. Fedorov, “Statistical distribution of the failure of injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 292–293] |
128. |
П. Г. Елисеев, И. З. Пинскер, Ю. Ф. Федоров, “Эмпирическая оценка срока службы инжекционных лазеров по кратковременным испытаниям”, Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 105–106 [P. G. Eliseev, I. Z. Pinsker, Yu. F. Fedorov, “Empirical estimation of the service life of injection lasers from short-term tests”, Sov J Quantum Electron, 2:3 (1972), 290–291] |
|
1971 |
129. |
А. П. Богатов, П. Г. Елисеев, В. И. Пантелеев, Е. Г. Шевченко, “Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций”, Квантовая электроника, 1971, № 5, 93–95 [A. P. Bogatov, P. G. Eliseev, V. I. Panteleev, E. G. Shevchenko, “Comparison of the instantaneous and averaged emission spectra of an injection laser operating under spiking conditions”, Sov J Quantum Electron, 1:5 (1972), 500–502] |
3
|
130. |
П. Г. Елисеев, “Об оптимальной толщине активного слоя в гетеролазере”, Квантовая электроника, 1971, № 3, 120–121 [P. G. Eliseev, “Optimal thickness of the active layer in a heterojunction laser”, Sov J Quantum Electron, 1:3 (1971), 304–305] |
2
|
131. |
Д. Акерман, П. Г. Елисеев, А. Кайпер, М. А. Манько, 3. Рааб, “Методы селекции типов колебаний в инжекционных ПКГ”, Квантовая электроника, 1971, № 1, 85–90 [D. Akerman, P. G. Eliseev, A. Kaiper, M. A. Man'ko, Z. Raab, “Methods for mode selection in injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 1:1 (1971), 60–64] |
9
|
|
|
|
1990 |
132. |
П. Г. Елисеев, “Лазерная инженерия”, УФН, 160:2 (1990), 338–339 ; P. G. Eliseev, “Laser engineering”, Phys. Usp., 33:2 (1990), 168 |
|
1988 |
133. |
П. Г. Елисеев, “Краткий обзор материалов конференции”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2175–2177 [P. G. Eliseev, “Brief review of papers presented at the SELCO-87 Conference”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1365–1366 ] |
|
1978 |
134. |
П. Г. Елисеев, М. А. Херман, “Вторая международная школа полупроводниковой оптоэлектроники «Цетнево-1978»”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2503–2506 [P. G. Eliseev, M. A. Herman, “Second International School on Semiconductor Optoelectronics “Cetniewo, 1978””, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1415–1417] |
|
1977 |
135. |
Е. М. Дианов, П. Г. Елисеев, “II совещание по проблеме передачи информации по волоконным световодам (Уиллиамсбург, США, 22–24 февраля 1977 г.)”, Квантовая электроника, 4:9 (1977), 2059–2065 [E. M. Dianov, P. G. Eliseev, “Second Topical Meeting on Optical Fiber Transmission Williamsburg, Va., February 22–24,1977”, Sov J Quantum Electron, 7:9 (1977), 1185–1189] |
|
1976 |
136. |
П. Г. Елисеев, М. А. Херман, “Международная осенняя школа полупроводниковой оптоэлектроники «ЦЕТНЕВО-1975»”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 672–674 [P. G. Eliseev, M. A. Herman, “International Autumn School on Semiconductor Optoelectronics “Cetniewo 1975””, Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 375–376] |
|
1975 |
137. |
П. Г. Елисеев, “Физические процессы в гетеропереходах. Первая Всесоюзная конференция Кишинев. (30 октября – 1 ноября 1974 г.)”, Квантовая электроника, 2:3 (1975), 623–627 [P. G. Eliseev, “First Ail-Union Conference on Physical Processes in Heterojunctions, Kishinev, October 30–November 1,1974”, Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 353–355] |
|