Аннотация:
Рассчитана оптическая модель полосковой лазерной гетероструктуры GaAlAs/GaAs с направляющим волноводным утолщением в эмиттерном p-слое, которое обеспечивает боковое оптическое ограничение. Определены характеристики направленности излучения в зависимости от параметров структуры. Квантово-размерный активный слой включен в трехслойный волновод (структуру с раздельным ограничением). На опыте лазерные структуры изготовлялись методом МОС-гидридной газофазной эпитаксии с применением затем ионно-химического травления и вакуумного заращивания мезаполосок селенидом цинка. Получены низкопороговые лазеры с мощностью непрерывного излучения в одночастотном режиме до 40 мВт и в
пространственно-одномодовом – до 80 мВт на длине волны 780 нм. Для повышения оптической прочности торцов на них наращивались "окна" из ZnSe.
Образец цитирования:
Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992), 1024–1031 [Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3640
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v19/i10/p1024
Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
Panyaev I., Dadoenkova Yu., Zolotovskii I., Sannikov D., Opt. Commun., 426 (2018), 395–400
Е. И. Давыдова, В. В. Дмитриев, Ю. Ю. Козлов, И. А. Кукушкин, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, Квантовая электроника, 41:5 (2011), 423–426; Quantum Electron., 41:5 (2011), 423–426