Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм

Рассчитана оптическая модель полосковой лазерной гетероструктуры GaAlAs/GaAs с направляющим волноводным утолщением в эмиттерном p-слое, которое обеспечивает боковое оптическое ограничение. Определены характеристики направленности излучения в зависимости от параметров структуры. Квантово-размерный активный слой включен в трехслойный волновод (структуру с раздельным ограничением). На опыте лазерные структуры изготовлялись методом МОС-гидридной газофазной эпитаксии с применением затем ионно-химического травления и вакуумного заращивания мезаполосок селенидом цинка. Получены низкопороговые лазеры с мощностью непрерывного излучения в одночастотном режиме до 40 мВт и в пространственно-одномодовом – до 80 мВт на длине волны 780 нм. Для повышения оптической прочности торцов на них наращивались "окна" из ZnSe.