| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях) Письма в редакцию Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1984, Volume 14, Issue 4, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1984v014n04ABEH004986 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|