|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 4, страницы 645–646
(Mi qe4986)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма в редакцию
Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Методом жидкофазной эпитаксии на подложках pInP изготовлены двусторонние гетероструктуры с трехслойным волноводом и малой (менее 0,1 мкм) толщиной узкозонного активного слоя. В высокодобротных четырехсторонних резонаторах при комнатной температуре пороговая плотность тока снижена до 512 А/см2 и получен непрерывный режим генерации на неполосковых диодах.
Поступила в редакцию: 29.11.1983
Образец цитирования:
Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см2 при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 645–646 [Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4986 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i4/p645
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 172 | PDF полного текста: | 76 | Первая страница: | 1 |
|