Спектральные возмущения в полупроводниковом лазере. I. Аномальное расщепление в спектре биений мод

Экспериментально изучены спектры биений в полупроводниковом лазере и их зависимости от тока и температуры. В лазерах на основе InGaAs-квантовых ям наблюдается аномальное расщепление линии разностной частоты f в спектре биений на три компоненты: f⁰, f⁺ и f^-. Расщепление увеличивается с превышением порога. Компонента f⁰ наименее подвижна и уменьшается по частоте с ростом температуры. Компонента f⁺ сдвигается в сторону высоких частот, тогда как слабая компонента f^- – в сторону низких. Разность f⁺-f⁰ достигает 400 МГц, что составляет ~5% от величины f⁰ в диоде с длиной резонатора 5 мм. В лазерах на квантовых точках аномальное расщепление не наблюдалось.