Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1980, том 7, номер 9, страницы 1990–1992 (Mi qe10680)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Краткие сообщения

Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм

В. В. Безотосныйab, Л. М. Долгиновab, П. Г. Елисеевab, М. Г. Мильвидскийab, Б. Н. Свердловab, Е. Г. Шевченкоab, Г. В. Шепекинаab

a Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
PDF полного текста (540 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Созданы и исследованы непрерывные гетеролазеры на основе изопериодической системы четверных твердых растворов $GaInPAs$, изготовленных методом жидкофазовой эпитаксии на подложках $p-InP$. Лазеры работали при комнатной температуре в спектральном интервале 1,24-1,28 мкм, оптимальном для использоввния в волоконнооптических системах связи. Полосковая структура лазеров соответствовала зарощенной мезаполотовой структуре с двумерным оптическим ограничением. Наименьшим пороговым током при комнатной температуре был ток 30 мА, выходная мощность в одномодовом режиме составляла 5-7 мВт. Наивысшая рабочая температура достигала 85 ${}^\circ$С.
Поступила в редакцию: 02.06.1980
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1980, Volume 10, Issue 9, Pages 1146–1148
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1980v010n09ABEH010680
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.3
PACS: 42.55.Px
Образец цитирования: В. В. Безотосный, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, Г. В. Шепекина, “Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм”, Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992 [Sov J Quantum Electron, 10:9 (1980), 1146–1148]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BezDolEli80}
\by В.~В.~Безотосный, Л.~М.~Долгинов, П.~Г.~Елисеев, М.~Г.~Мильвидский, Б.~Н.~Свердлов, Е.~Г.~Шевченко, Г.~В.~Шепекина
\paper Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28~мкм
\jour Квантовая электроника
\yr 1980
\vol 7
\issue 9
\pages 1990--1992
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe10680}
\transl
\jour Sov J Quantum Electron
\yr 1980
\vol 10
\issue 9
\pages 1146--1148
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE1980v010n09ABEH010680}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1980KM83000019}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe10680
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v7/i9/p1990
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:418
    PDF полного текста:70
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024