Нелинейная рефракция в полупроводниковых лазерах (обзор)

Для полупроводников характерна значительная оптическая нелинейность. Большой вклад в нее дает влияние свободных носителей на показатель преломления, причем концентрация носителей зависит от интенсивности вследствие либо фотоэлектрического поглощения, либо вынужденного излучения. В полупроводниковых лазерах это приводит к ряду явлений, таких как самофокусировка, нелинейность оптических потерь с сопутствующими аномалиями динамики излучения, бистабильные режимы в составных резонаторах и усилителях, частотная автомодуляция, нелинейное рассеяние на волнах электронной плотности. На той же физической основе осуществляется автостабилизация одночастотного режима, позволяющая повысить интенсивность когерентного излучения полупроводникового лазера.