Снижение порогового тока гетеролазеров на основе InGaAsP/InP при действии одностороннего сжатия

Изучено влияние одностороннего сжатия по направлению нормали к активной плоскости в инжекционных лазерах, излучающих в диапазоне длин волн 1,06–1,60 мкм. Показано, что для мод с ТМ-поляризацией с ростом одноосного давления происходят снижение порогового тока (на 10–30 %), увеличение дифференциальной эффективности, увеличение параметра T₀ температурной зависимости порогового тока и снижение точки T_b, соответствующей излому этой зависимости. Для ТЕ-поляризации эти влияния имеют противоположный знак. Ввиду вариаций исходного напряженного состояния лазерных гетероструктур среди изученных образцов выделены три типа: переключающиеся с ТЕ- на ТМ-поляризацию под действием давления, работающие на ТЕ-поляризации, работающие на ТМ-поляризации в изученном диапазоне давлений (до 2,5 кбар). Исходные упругие деформации вследствие неточного согласования решеток в гетеропереходе являются причиной разброса лазерных параметров. Целесообразна оптимизация несоответствия решеток, поскольку при согласовании T₀ проходят через минимум.