| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях) Лазеры и физические процессы в них Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 8, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n08ABEH012346 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: А. П. Богатов, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, С. А. Лукьянов, “Ширина и форма линии излучения непрерывного InGaAsP/lnP-лазера с зарощенной полосковой гетероструктурой”, Квантовая электроника, 15:8 (1988), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|